1. 一种Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：含Cs2SO4和含Mg的硫酸盐按照Cs、Mg的化学计量比为2:3均匀混合后，以10 200 ℃/小时的速率升温到400 500 ~ ~℃，保温烧结12 72小时，然后降至室温，取出，研磨均匀，再以10 200 ℃/小时的速率升温~ ~到500~900 ℃，烧结24~150小时，得Cs2Mg3(SO4)4微晶。

2. 一种Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：含Cs2SO4和含Mg的硫酸盐按照Cs、Mg的化学计量比为4:3均匀混合后置于晶体生长炉中，升温至700 1200 ℃使其~熔化成熔体，然后测定所述熔体的饱和温度，接着将熔体降温至低于饱和温度5 15 ℃，再~以0.5 10 ℃/天的速度缓慢降温至600 ℃，随后迅速降至室温，得到Cs2Mg3(SO4)4非线性光~学晶体。

3.根据权利要求1或2所述的Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述含Mg的硫酸盐为MgSO4或MgSO4·7H2O。

4. 一种如权利要求1或2所述方法制得的Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体，其特征在于：所述Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体不含对称中心，属于正交晶系P212121空间群，其晶胞参数为a=9.102 ，b= 9.955  ，c=16.127  ，α=β=γ=90.00°，V=1461.3  ，Z=4。

5.一种如权利要求4所述的Cs2Mg3(SO4)6非线性光学晶体在制备非线性光学器件中的应用。