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专利号: 2019104202999
申请人: 闽江学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1. 一种Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:含Cs2SO4和含Mg的硫酸盐按照Cs、Mg的化学计量比为4:3均匀混合后置于晶体生长炉中,升温至700 1200 ℃使其~熔化成熔体,然后测定所述熔体的饱和温度,接着将熔体降温至低于饱和温度5 15 ℃,再~以0.5~10 ℃/天的速度缓慢降温至600 ℃,随后迅速降至室温,得到Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体;

所述Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体不含对称中心,属于正交晶系P212121空间群,其结构为MgO6多面体与SO4四面体共顶点连接,形成三维框架结构,且Cs+离子填在框架孔洞中;其晶胞参数为a=9.102 ,b=9.955 ,c=16.127  ,α=β=γ=90.00°,V=1461.3  ,Z=4。

2.根据权利要求1所述的Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体的制备方法,其特征在于:所述含Mg的硫酸盐为MgSO4或MgSO4·7H2O。

3. 一种如权利要求1所述方法制得的Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体,其特征在于:所述Cs2Mg3(SO4)4非线性光学晶体不含对称中心,属于正交晶系P212121空间群,其晶胞参数为a=

9.102  ,b= 9.955  ,c=16.127  ,α=β=γ=90.00°,V=1461.3  ,Z=4。

4.一种如权利要求3所述的Cs2Mg3(SO4)6非线性光学晶体在制备非线性光学器件中的应用。