1.化合物锗酸锂铯，其特征在于该化合物化学式为LiCsGe2O5。

2.根据权利要求1所述的化合物锗酸锂铯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将含锂化合物、含铯化合物、含锗化合物混合采用固相反应法制得所述化合物锗酸锂铯，含锂化合物中元素锂、含铯化合物中元素铯、含锗化合物中元素锗的摩尔比为1:1:2。

3.权利要求2所述化合物锗酸锂铯的制备方法，其特征在于，所述化合物锗酸锂铯采用固相反应法制备，过程包括：将含锂化合物、含铯化合物、含锗化合物原料混合均匀，研磨后放入马弗炉中，预烧排除原料中的水分和气体，冷却至室温，取出研磨之后放入马弗炉中煅烧，制得化合物锗酸锂铯，即化合物锗酸锂铯单相多晶粉末；

所述含锂化合物包括有氢氧化锂、氧化锂、锂盐中的至少一种；锂盐包括氯化锂、溴化锂、硝酸锂、草酸锂、碳酸锂、碳酸氢锂、硫酸锂中的至少一种；

所述含铯化合物包括氧化铯、氢氧化铯及铯盐中的至少一种；铯盐包括氯化铯、溴化铯、硝酸铯、草酸铯、碳酸铯、碳酸氢铯、硫酸铯中的至少一种；

所述含锗化合物为氧化锗、氢氧化铷及锗盐；锗盐包括氯化锗、溴化锗、硝酸锗、草酸锗、碳酸锗、碳酸氢锗、硫酸锗中的至少一种。

4.化合物锗酸锂铯及锗酸锂铯非线性光学晶体，其特征在于化学式为LiCsGe2O5，晶体属正交晶系，空间群均为Pca21，晶胞参数为

5.权利要求4所述的锗酸锂铯非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用高温熔液法或者提拉法生长锗酸锂铯非线性光学晶体。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，具体操作按下列步骤进行：

a、将权利要求1-3任一所得的化合物锗酸锂铯单相多晶粉末或权利要求1-3任一所得的化合物锗酸锂铯单相多晶粉末与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

或直接将含锂化合物、含铯化合物和含锗化合物的混合物或含锂化合物、含铯化合物和含锗化合物与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

b、盛有步骤a制得的混合熔液的坩埚置入晶体生长炉中，将籽晶固定于籽晶杆上，将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔，降至饱和温度；降温或恒温生长，制备出锗酸锂铯非线性光学晶体。

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于其中化合物锗酸锂铯单相多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:0-20；或者其中含锂化合物、含铯化合物和含锗化合物与助熔剂的摩尔比为

1:1:2:0-20；助熔剂包括氢氧化锂、氢氧化铯、氢氧化锗、氧化锂、氧化铯、氧化锗、锂盐、铯盐、锗盐中的至少一、氧化铅、复合助熔剂Cs2O-GeO2、Li2O-GeO2、CsF-GeO2、LiF-GeO2、GeO2-LiO2-Cs2O中一种或多种。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于助熔剂Cs2O-GeO2体系中Cs2O与GeO2的摩尔比为

1-3:2-5；Li2O-GeO2体系中Li2O与GeO2摩尔比为1-3:3-6；CsF-GeO2体系中CsF与GeO2的摩尔比为1-8:2-5；LiF-GeO2体系中LiF与TeO2摩尔比为1-10:3-6；GeO2-Li2O-Cs2O体系中GeO2、Li2O与Cs2O摩尔比为2-5:1-6:3-8。

9.根据权利要求4所述的锗酸锂铯非线性光学晶体的用途，其特征在于该锗酸锂铯非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。