1.一种基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法，其特征在于：所述的方法包括以下步骤：

S1：在第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3）之间熔接锗芯光纤（2），形成两侧为单模光纤，中部为锗芯光纤（2）的整体结构，锗芯光纤（2）的锗芯（4）直径大于单模光纤纤芯的直径；

S2：把制作的步骤S1中的两侧为单模光纤，中部为锗芯光纤（2）的整体结构，利用砂纸进行侧面抛磨，使锗芯光纤（2）的一部分锗芯（4）裸露在外界环境中；

S3：把步骤S2中经过侧面抛磨的两侧为单模光纤，中部为锗芯光纤（2）的整体结构浸入碱溶液中，利用碱溶液对锗芯（4）进行刻蚀；

S4：经过一段时间后，在经过侧面抛磨的锗芯光纤（2）的锗芯（4）中刻蚀出一个微腔（5），微腔（5）宽度小于锗芯（4）直径；

S5：在第一单模光纤（1）中投射入射光，入射光通过第一单模光纤（1）后被分成两部分，一部分沿锗芯光纤（2）中剩余锗芯（4）传播，另一部分沿步骤S4中形成的微腔（5）传播；

S6：步骤S5中的两部分光被耦合至第二单模光纤（3），两部分光在第二单模光纤（3）中相遇并发生干涉，形成光纤马赫‑曾德尔干涉仪。

2.根据权利要求1所述的基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法，其特征在于：所述的第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3）为二氧化硅光纤。

3.根据权利要求1所述的基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法，其特征在于：所述的锗芯光纤（2）的锗芯（4）掺锗，包层为二氧化硅，锗芯光纤（2）的锗芯（4）直径大于第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3）的纤芯直径。

4.根据权利要求1所述的基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法，其特征在于：所述的步骤S4中侧面抛磨后露出的锗芯（4）宽度小于锗芯（4）直径。

5.一种根据权利要求1‑4任一所述的基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法制作的基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪，其特征在于：包括第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3），第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3）之间熔接有锗芯光纤（2），锗芯光纤（2）经过侧面抛磨后一部分锗芯（4）裸露在外界环境中，锗芯（4）的内部经过碱溶液刻蚀形成一个微腔（5），微腔（5）的两端分别连通第一单模光纤（1）和第二单模光纤（3）形成光通道，沿锗芯光纤（2）剩余锗芯（4）传播的入射光与沿微腔（5）传播的入射光再次被耦合进入第二单模光纤（3）时发生干涉，形成光纤马赫‑曾德尔干涉仪结构。