1.硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，包括筒体(1)，其特征在于，所述筒体(1)通过三个隔板(2)对称设有三个放置区，且三个隔板(2)呈均匀分布设置，三个所述隔板(2)相背离一侧的侧壁均与筒体(1)的内壁固定连接设置，所述筒体(1)内壁的中心处固定连接有圆筒(3)，且圆筒(3)的侧壁分别与三个隔板(2)的侧壁固定连接设置，所述圆筒(3)内还设有放料机构，所述筒体(1)的底部对称固定连接有四个支撑脚(4)，所述放料机构包括放置盒(5)、套筒(6)和活动杆(7)，所述放置盒(5)的底部开设有多个通孔，所述套筒(6)位于圆筒(3)内设置，所述圆筒(3)的内壁对称开设有三个凹槽，三个所述凹槽内均设有楔形块(8)，所述楔形块(8)的侧壁通过弹簧(9)与凹槽的槽底固定连接设置，所述套筒(6)的外壁对称开设有三个与楔形块(8)相匹配的限位滑槽，所述活动杆(7)的侧壁对称固定连接有三个滑块(10)，所述套筒(6)的内壁对称开设有三个与滑块(10)相匹配的滑槽，且活动杆(7)的顶部穿过套筒(6)并向外延伸设置，所述放置盒(5)的顶部固定连接有L型杆(11)，所述L型杆(11)竖直部的侧壁与活动杆(7)延伸至套筒(6)外部的侧壁固定连接设置，所述筒体(1)的底部还设有驱动机构；

所述驱动机构包括减速电机(12)和转轴(13)，所述减速电机(12)的输出端通过联轴器与转轴(13)固定连接设置，所述转轴(13)的一端依次贯穿筒体(1)和圆筒(3)的侧壁并延伸至圆筒(3)的内部，且转轴(13)通过第一轴承与筒体(1)转动连接设置，所述转轴(13)延伸至圆筒(3)内的一端固定套接有第一锥齿轮(14)，所述圆筒(3)内设有转杆(15)，且转杆(15)位于套筒(6)的下方设置，所述转杆(15)的两端均通过第二轴承分别与圆筒(3)的两侧壁转动连接设置，所述转杆(15)的杆壁对称固定套接有两个凸轮(16)，且两个凸轮(16)均与套筒(6)的底部相抵设置，所述转杆(15)的杆壁还固定套接有第二锥齿轮(17)，且第二锥齿轮(17)与第一锥齿轮(14)呈啮合设置。

2.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述减速电机(12)的外部设有防护罩，且防护罩与筒体(1)的底部固定连接设置，所述减速电机(12)的底部与防护罩内壁的底部固定连接设置。

3.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述套筒(6)的底部对称开设有两个弧形槽，两个所述弧形槽内均活动连接有滚珠(18)，且滚珠(18)与凸轮(16)相抵设置。

4.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述支撑脚(4)的底部均固定连接有吸盘(19)，且吸盘(19)采用橡胶材质制成。

5.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述活动杆(7)的顶部固定连接有转柄(20)，且转柄(20)的表面开设有防滑纹。

6.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述筒体(1)的上方设有筒盖(21)，所述筒盖(21)的内壁与筒体(1)的外壁螺纹连接设置。

7.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置，其特征在于，所述放置盒(5)的外壁与放置区的内壁相接触设置。

8.根据权利要求1所述的硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测装置的检测方法，其特征在于，通过将H2CrO4‑HF混合溶液、离子水和K2Cr2O7‑HF混合溶液分别倒入至三个放置区内，同时将硅片放入至放置盒(5)内，通过按动活动杆(7)，从而能够对带动L型杆(11)和放置盒(5)移动，使硅片与H2CrO4‑HF混合溶液相接触，再通过设有的减速电机(12)，减速电机(12)的输出端旋转带动转轴(13)旋转，转轴(13)旋转带动第一锥齿轮(14)旋转，进而带动第二锥齿轮(17)旋转，第二锥齿轮(17)旋转带动转杆(15)和凸轮(16)旋转，进而通过凸轮(16)转动能够带动套筒(6)和活动杆(7)上下做往复运动，活动杆(7)上下运动带动L型杆(11)和放置盒(5)移动，进而提高硅片与H2CrO4‑HF混合溶液的反应效果，再通过拉动并转动活动杆(7)，使放置盒(5)移动至离子水中进行清理，清洗完成后，继续拉动和转动活动杆(7)使放置盒(5)移动至K2Cr2O7‑HF混合溶液中进行反应，且反应时间为10分钟，同时使凸轮(16)带动放置盒(5)上下移动来提高反应效果，反应完成后继续将放置盒(5)再次放入至离子水中进行清理，清洗完成后，通过金相显微镜进行观察，并通过视场中腐蚀坑的密度计算位错密度。