1.一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其结构包括：激光射筒(1)、调角齿纹环(2)、方形法兰(3)、散热座(4)、半导激光器(5)、梯形夹板(6)、泵浦耦合器(7)，其特征在于：所述激光射筒(1)与调角齿纹环(2)机械连接，所述激光射筒(1)通过方形法兰(3)与半导激光器(5)螺丝连接，所述散热座(4)紧贴于半导激光器(5)的底部下，所述泵浦耦合器(7)与半导激光器(5)电连接，所述泵浦耦合器(7)安装于半导激光器(5)的后侧，所述梯形夹板(6)设有两个并且分别焊接在半导激光器(5)的左右两侧，所述激光射筒(1)通过半导激光器(5)与泵浦耦合器(7)电连接；

所述泵浦耦合器(7)设有通径接管(7A)、扁囊采光器(7B)、V型折镜板(7C)、回转弧顶架(7D)、椭圆框槽(7E)、耦合器壳体(7F)、光纤束线管(7G)；

所述通径接管(7A)与光纤束线管(7G)分别插嵌在耦合器壳体(7F)的左右两侧，所述扁囊采光器(7B)嵌套于通径接管(7A)的右侧，所述V型折镜板(7C)与回转弧顶架(7D)相配合，所述椭圆框槽(7E)与V型折镜板(7C)为一体结构，所述V型折镜板(7C)安装于耦合器壳体(7F)的内部，所述扁囊采光器(7B)安设在V型折镜板(7C)的左侧，所述光纤束线管(7G)通过通径接管(7A)与半导激光器(5)电连接，所述耦合器壳体(7F)安设在半导激光器(5)的后侧。

2.根据权利要求1所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述扁囊采光器(7B)由滑轨采光架(7B1)、对位凸镜囊(7B2)组成，所述滑轨采光架(7B1)安装于对位凸镜囊(7B2)的内部，所述滑轨采光架(7B1)与对位凸镜囊(7B2)插嵌在一起。

3.根据权利要求2所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述滑轨采光架(7B1)由条板摆架(7B11)、齿纹槽筒(7B12)、采光扇板(7B13)、滑轨横杆(7B14)组成，所述齿纹槽筒(7B12)与滑轨横杆(7B14)活动连接，所述齿纹槽筒(7B12)通过条板摆架(7B11)与采光扇板(7B13)机械连接。

4.根据权利要求2所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述对位凸镜囊(7B2)由复合凸镜槽(7B21)、扁囊体(7B22)组成，所述复合凸镜槽(7B21)设有两个并且分别安装于扁囊体(7B22)内部的左右两侧，所述复合凸镜槽(7B21)与扁囊体(7B22)紧贴在一起。

5.根据权利要求4所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述复合凸镜槽(7B21)由翅片镜(7B211)、梯形凸镜块(7B212)、凸镜弧槽(7B213)、磁铁条(7B214)、勾玉转子(7B215)组成，所述翅片镜(7B211)与磁铁条(7B214)相互平行，所述翅片镜(7B211)设有两个并且分别插嵌在梯形凸镜块(7B212)右侧的上下两端，所述磁铁条(7B214)与勾玉转子(7B215)电连接，所述磁铁条(7B214)与勾玉转子(7B215)均安装于梯形凸镜块(7B212)的右侧，所述凸镜弧槽(7B213)与翅片镜(7B211)紧贴成一体。

6.根据权利要求1所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述回转弧顶架(7D)由V槽棱镜罩(7D1)、偏转架筒(7D2)、实心半球座(7D3)组成，所述V槽棱镜罩(7D1)与实心半球座(7D3)分别安设在偏转架筒(7D2)的上下两端，所述偏转架筒(7D2)与实心半球座(7D3)相配合，所述V槽棱镜罩(7D1)与偏转架筒(7D2)嵌套成一体。

7.根据权利要求6所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述V槽棱镜罩(7D1)由折板棱镜条(7D11)、月牙罩盖(7D12)、V槽粘板(7D13)组成，所述折板棱镜条(7D11)紧贴于月牙罩盖(7D12)内部的顶面下，所述V槽粘板(7D13)与月牙罩盖(7D12)的底部插嵌在一起。

8.根据权利要求6所述的一种掺镱双包层半导体激光器的尾纤侧面泵浦耦合装置，其特征在于：所述偏转架筒(7D2)由偏转配重块(7D21)、弹簧座(7D22)、漏斗筒(7D23)、倒Y型支杆(7D24)组成，所述偏转配重块(7D21)与弹簧座(7D22)机械连接，所述弹簧座(7D22)与倒Y型支杆(7D24)扣合在一起，所述偏转配重块(7D21)与倒Y型支杆(7D24)相配合，所述倒Y型支杆(7D24)插嵌在漏斗筒(7D23)的内部。