1.一种二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，为周期性结构，其特征在于每个结构单元从上至下依次包括吸波面、三维传输线结构以及带通型频率选择表面；

所述的吸波面包括第一介质基片，以及镀在第一介质基片表面的第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容、与第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容相连接的第一至四集总电阻以及同时与四个集总电阻相连的第一金属圆环；

所述的三维传输线结构位于吸波面与带通频率选择表面之间，包括四块第二介质基片以及第一、第二、第三、第四金属线；

四块第二介质基片依次相连成环形结构，并与第一介质基片垂直设置；

第一至四金属线分别镀在四块第二介质基片内侧壁上；金属线位于所在第二介质基片的中线上；

所述的第一至四金属线分别与吸波面上对应的第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容形成电气连接；

所述的带通频率选择表面与第一介质基片平行设置，紧靠三维传输线结构，但不与三维传输线结构的第一、第二、第三、第四金属线形成电气连接；

所述的带通频率选择表面包括第三介质基片以及设置在第三介质基片下表面的金属面；金属面刻有类矩形环缝隙，类矩形环缝隙的每条边中心位置由依次排列的第一至五“凵”型缝隙以及连接线构成，第一“凵”型缝隙与第五“凵”结构形状高度相同，第二“凵”型缝隙与第四“凵”型缝隙形状高度相同，第一、二、三“凵”型缝隙呈阶梯状设置，且第三“凵”型缝隙最高；相邻“凵”型缝隙间距相等并通过连接线连通。

2.如权利要求1所述的一种二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，其特征在于所述的第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容呈中心对称排布；第一至四集总电阻阻值相同呈中心对称排布；类矩形环缝隙呈中心对称排布；第一至四金属线形状完全相同；

吸波面、三维传输线结构和带通频率选择表面的中心均位于结构中心的竖直直线上。

3.如权利要求1所述的一种二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，其特征在于所述的吸波面上的所有集总电阻的电阻值相等；第一至四端口阻抗渐变型缝隙电容相同。

4.如权利要求1所述的一种二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，其特征在于所述的三维传输线结构与带通型频率选择表面的工作频率相同。

5.如权利要求1所述的一种二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，其特征在于当全频段的电磁波射入结构表面，先直接透过吸波面，由于三维传输线结构的存在，使得工作为半个波长时的电磁波无损或者低损透过；而当特定频段的电磁波使得吸波面结构分别谐振在四分之一以及四分之三波长，此时入射的电磁波与被带通型频率选择表面反射的电磁波形成相位抵消，端口阻抗渐变型缝隙电容与第一金属圆环被电磁波激励出强电流，并被集总电阻吸收，从而形成吸波带；通过吸波面、三维传输线结构以及带通频率选择表面的共同作用，使得该雷达吸波体能够实现极低插损的通带以及分布在其两侧的宽吸波带。