1.一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池，其特征在于，

依次由柔性衬底、超薄复合电极AZO/Ag/AZO、掺杂F的钙钛矿CsSnX3薄膜、氧化的钙钛矿CsSnX3、铜铟镓硒吸收层、CuAlO2空穴传输层、超薄金属金电极组成；X为I、Br和Cl中的一种或几种；

所述的柔性衬底是柔性白云母薄片、PI、PET、PEN中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池，其特征在于，超薄复合电极AZO/Ag/AZO的厚度为80～100nm；所述掺杂F的钙钛矿CsSnX3薄膜、氧化的钙钛矿CsSnX3、铜铟镓硒吸收层的总厚度为300～1000nm；CuAlO2空穴传输层的厚度为50～100nm；

超薄金属金电极的厚度小于20～50nm。

3.一种根据权利要求1或2所述的基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)对柔性衬底进行前处理；

2)在前处理后的柔性衬底表面使用PLD设备生长超薄复合电极AZO/Ag/AZO；

3)利用真空蒸发镀膜设备，在超薄复合电极AZO/Ag/AZO上蒸发掺杂F的钙钛矿CsSnX3薄膜，作为吸收层中n型材料；

4)利用真空蒸发镀膜设备，在掺杂F的钙钛矿CsSnX3薄膜上蒸发CsSnX3薄膜，并在氧气中氧化，形成氧化的钙钛矿CsSnX3，作为吸收层中本征半导体材料；

5)利用真空蒸发镀膜设备及快速热处理设备，在氧化的钙钛矿CsSnX3上蒸发铜铟镓薄膜，并在快速热处理设备中快速硒化，形成铜铟镓硒吸收层，作为吸收层中p型材料；

6)在铜铟镓硒吸收层上磁控溅射CuAlO2作为太阳能电池空穴传输层；

7)将步骤6)制备的器件烘干，完成阳极金属电极的沉积，得到叠层太阳能电池。

4.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述前处理为：步骤1)中所述前处理为：①将柔性衬底用湿无尘纸沾清洗液擦洗一遍，冲洗干净，除去表面灰尘；②将柔性衬底垂直放置于清洗架内，用去离子水加入洗洁精超声20min以上；③去离子水超声20min以上，取出去离子水冲洗，检查柔性衬底表面是否干净整洁，有污点用棉签沾湿擦拭表面，再冲洗，直到干净为止；重复一次；④柔性衬底在丙酮中超声20min以上，取出，用乙醇冲洗；最后将柔性衬底放入臭氧清洗机干燥处理。

5.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2)中制备超薄复合电极AZO/Ag/AZO方法为：先打开机械泵预抽真空，当真空度低于1Pa时，打开分子泵，将前处理后的柔性衬底置于真空腔内，待真空度达到10-4Pa以后，对柔性衬底升温到200℃，均匀保温1小时以上；通入氧气，调节氧分压为0.8～2.0Pa，激光能量150-200mJ/p，激光频率5Hz，靶距为4-6cm，保温1-2小时后，室温空冷。

6.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2)中制备超薄复合电极AZO/Ag/AZO时，将柔性衬底先行遮挡，对靶材进行激光预打3-5min，以去除靶材表面的氧化物和杂质，保证靶材表面成分的一致性。

7.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3)、4)中利用真空蒸发镀膜设备制备薄膜的过程是：将柔性衬底体固定在真空腔内，正面朝下与蒸发源相对；与蒸发源的垂直距离为13～18cm；两种蒸发源分别为CsI、SnI2，共同蒸发。

8.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3)中掺杂F的钙钛矿CsSnX3薄膜中掺杂F所占摩尔比为11％。

9.根据权利要求2所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤5)中铜铟镓硒吸收层的制备方法为：真空度抽至本底真空度2×10-3Pa，先蒸发Cu、In、Ga沉积到步骤4)所得衬底上形成金属预制膜，即CuInGa叠层预制膜；在快速热处理炉中，氩气环境下利用Se蒸汽进行硒化，与金属预制膜反应形成铜铟镓硒吸收层。

10.根据权利要求3所述的一种基于柔性衬底的P-I-N结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤6)中磁控溅射CuAlO2作为太阳能电池空穴传输层的方法为：将步骤5)所得衬底置于射频磁控溅射真空腔内，镀膜前真空度抽至本底真空度3×10-3Pa，随后充入高纯氩气，工作压强0.3Pa；射频溅射功率为100-120W，靶距为13-18cm，氩气通量为10-20sccm，溅射1-2h；

步骤7)中将器件放置在臭氧清洗机中干燥，然后使用电阻蒸发设备蒸镀金属电极，完成电极沉积。