1.SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，包括玻璃槽(7)，玻璃槽(7)的外表面设置有超声波装置(13)，玻璃槽(7)内部充满抛光液(8)，抛光液(8)中设置有可沿中心轴旋转的抛光盘(4)，抛光盘(4)上表面设置有抛光垫(3)，抛光垫(3)上表面设置有SiC单晶片(1)，SiC单晶片(1)上方通过导电胶连接有可沿中心轴旋转的载料盘(2)，抛光盘(4)和载料盘(2)的旋转方向相反；所述玻璃槽(7)的底面的内表面设置有不锈钢电极(5)，不锈钢电极(5)连接有脉冲电源(6)的负极，脉冲电源(6)的正极连接有载料盘(2)，所述玻璃槽(7)的侧壁通过管道依次连接有液压泵(9)、流量计(10)、恒温系统(11)、喷嘴(12)，所述喷嘴(12)设置在抛光盘(4)的正上方。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，所述中心转轴均采用电机驱动。

3.根据权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，所述抛光盘(4)上由中间向四周呈放射性设置有若干通孔。

4.根据权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，所述抛光垫(3)上由中间向四周呈放射性设置有若干通孔，所述抛光盘(4)和抛光垫(3)上的通孔位置相互对应。

5.根据权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，所述恒温系统包括测温仪、温度控制器和加热装置。

6.根据权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置，其特征在于，所述超声波装置(13)设置有若干个。

7.SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工方法，其特征在于，本方法依赖于权利要求1所述的SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置进行实施，具体的步骤如下：步骤1：将脉冲电源(6)的正极与载料盘(2)连接完成，脉冲电源的负极连接至玻璃槽(7)底部的不锈钢电极(5)；

步骤2：将待抛光晶片通过导电胶与载料盘金属部分粘接而与步骤1所述电路导通；

步骤3：启动电机，使抛光垫(3)、抛光盘(4)二者作为一个整体发生转动；

步骤4：对载料盘(2)施加向下的轴向力F，使晶片(1)与抛光垫(3)接触，进而发生相对运动，晶片(1)与抛光垫通孔部分接触时会发生阳极氧化生成一层氧化膜，随即晶片1与抛光垫通孔外的部分接触时，在磨粒的作用下将氧化膜抛光去除；

步骤5：晶片(1)抛光完成，将电机、脉冲电源(6)等设备关闭。