1.一种稀土掺杂的光伏薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将MO与D2O3按照1-2:1的摩尔比混合，研磨，得到混合粉末；

其中，所述M为Cu、Zn、Cd中的任意一种；所述D为Al、Ga、In、Tl中任意的一种；

(2)将步骤(1)得到的混合粉末于5MPa～15MPa下压制成片，保压时间为5min～10min，压制完成后于1200-1600℃下烧结得到多晶材料；

(3)准备硅基材料，利用磁控溅射方法，将步骤(2)得到的多晶材料溅射到硅基材料表面上，得到硅基-多晶材料；

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其中，溅射参数为：抽真空至5.0×10 -10.0×10 Pa，氩气流量为30-50sccm，溅射压强为2-12Pa，基片温度为350-550℃，射频电源溅射功率为80-120W，溅射时间为120-480min；

其中，多晶材料的物质的量与硅基材料的体积比为0.1-0.5mol：15mm×15mm×(75-90)nm；

(4)将步骤(3)得到的硅基-多晶材料在氩气气氛下，于200-800℃下退火20-30分钟，得到表面生成有化合物量子点的结晶硅基-多晶材料；

(5)于室温采用离子注入法将稀土离子的氧化物注入到步骤(4)得到的结晶硅基-多晶材料中的多晶材料表面，抽真空至2.0×10-3-5.0×10-3Pa，注入的稀土离子氧化物所携带的能量为100-200Kev，离子束强度为2-6uA·cm-2，得到稀土掺杂的结晶硅基-多晶材料；

其中，稀土离子的注入剂量与结晶硅基-多晶材料体积比为1×1015-1×1016cm-2：15mm×15mm×(75-90)nm；

其中，所述稀土离子的氧化物为La2O3、Ce2O3、Nd2O3、Y2O3中的任意一种；

(6)将步骤(5)得到的稀土掺杂的结晶硅基-多晶材料在氩气氛围中，于1000-1100℃再次退火，退火时间为20-30分钟，得到稀土掺杂的光伏薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂的光伏薄膜材料的制备方法，其特征在于，其中硅基材料为单晶硅光伏薄膜材料、多晶硅光伏薄膜材料、非晶硅光伏薄膜材料中的任意一种。

3.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法制备得到的稀土掺杂的光伏薄膜材料。