1.一种基于AZO电极的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极；

（2）在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上旋涂空穴注入层；

（3）在空穴注入层上旋涂空穴传输层；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；

（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可；

所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，空穴注入层的厚度为40 nm，空穴传输层的厚度为35 nm，量子点发光层的厚度为30 nm，电子传输层ZnO的厚度为35 nm，顶电极的厚度为100 nm，所述封装采用紫外光固化树脂进行。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS为高导电水溶性聚合物，型号为CLEVIOS P AI 4083，在QLED器件制备前，通过旋涂法将其制备成PEDOT:PSS薄膜，备用。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，TFB在使用前，通过将TFB粉末溶解于氯苯，制备成浓度为8 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成TFB薄膜，备用。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中在QLED器件制备前，通过将粒径为8 nm的ZnCdSeS/ZnS绿光量子点溶解于甲苯，制备成浓度为18 mg/mL的溶液，再通过旋涂的方法制备成量子点发光薄膜，备用。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中在QLED器件制备前，通过将粒径为3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得浓度为30 mg/mL的ZnO溶液，并通过旋涂的方法制备得到ZnO薄膜，备用。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝掺杂氧化锌AZO透明电极的制备过程如下：a、玻璃基片的清洗；

b、铝掺杂氧化锌AZO透明电极的制备：将清洗好的玻璃基片放置于磁控溅射镀膜机腔室内，利用磁控溅射的方法制备AZO透明电极，其中，靶基距为75 mm，磁控溅射本底真空度为5.00×10-6 Torr，溅射时间为40 min，溅射过程结束后冷却30 min，取出基片，即得。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤b中溅射功率为80 W、100 W、125 W、150 W、175 W或200 W。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤b中溅射压强为0.5 mTorr、1.0 mTorr、1.5 mTorr、2.0 mTorr或2.5 mTorr。

10.采用权利要求1-9任一所述方法制备的基于AZO电极的正型QLED器件。