1.一种空化和芬顿反应辅助的碳化硅平面低压均匀化抛光方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

S1：将碳化硅工件放在预处理工件槽中，采用负压缩材料进行密封，仅露出待抛光的平面；

S2：将S1处理后的碳化硅片放入芬顿试剂中进行预处理，使得碳化硅表面生成二氧化硅腐蚀层，所述的芬顿试剂采用2～8wt％羰基铁粉和2～10wt％的浓度为30％的过氧化氢溶液，并使用稀盐酸使pH值至4～6；

S3：将S2处理后的碳化硅片放置在磨粒流抛光系统中进行抛光，将待抛光工件放置在一个过流腔体内，使磨粒流先发生空化形成多相流后进入过流腔体，达到均匀抛光的效果；

所述的过流腔体底部为平面，其他过流面为斜面或曲面，使得流体作用在待抛光工件上的动压均匀；所述的磨粒流中的磨粒为α-Al2O3-g-PMMA磨粒，粒径为200nm～50μm，磨粒流中的磨粒的质量分数为10％以下，磨粒流的压力为2MPa以下，温度为10～50摄氏度，所述的磨粒流的液相由去离子水、分散剂和切削液配置而成，三者比例为4:3:1,分散剂选用HT-

4000系列分散剂，切削液选用RX-1系列润滑油。

所述磨粒流的空化数为0.02～0.4，所述磨粒流液相动力黏度为0.0014～0.0017kg/m·s。

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，以磨粒流压力、磨粒直径、磨粒的浓度、磨粒流的空化数和磨粒流液相动力黏度作为输入参数，以抛光后所得工件的表面粗糙度、均匀性程度作为输出参数，利用BP神经网络进行训练，建立多相流抛光模型，优化参数后进行抛光。

3.一种用于实现权利要求1所述的抛光方法的抛光装置，其特征在于，该装置包括电气控制柜(1)、冷却装置(2)、电机(3)、搅拌池(11)、阀门(4)、泵(5)、流量计(6)、压力计一(7)、超声波发生器(8)、磨粒流箱体(9)、压力计二(10)，所述的电气控制柜(1)与所述的电机(3)相连，所述的电机(3)与所述的搅拌池(11)中的搅拌器相连，所述的搅拌池(11)位于所述的冷却装置(2)内，所述的阀门(4)连接所述的搅拌池(11)，所述的阀门(4)、泵(5)、超声波发生器(8)、磨粒流箱体(9)依次通过管道连接，所述的磨粒流箱体(9)的出口连接到所述的搅拌池(11)，形成磨粒流的封闭循环系统；所述的流量计(6)、压力计一(7)均设置在所述的泵(5)与所述的超声波发生器(8)之间的管道上，所述的压力计二(10)设置在所述的磨粒流箱体(9)与所述的搅拌池(11)之间，所述超声波发生器(8)的频率在10～80kHz内可调。

4.根据权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述的超声波发生器(8)用文丘里管替换。

5.根据权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述的超声波发生器(8)用微纳米气泡发生器替换。

6.根据权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述的磨粒流箱体(9)包括具体结构如下：

其包括 形的端盖(902)、密封圈(903)、约束斜面板(904)、工件槽(908)、左导流块(913)、右导流块(909)、左连接管(912)、右连接管(911)、箱底座(910)， 形的端盖(902)固定在所述的箱底座(910)上，所述的约束斜面板(904)两端均与所述的 形的端盖(902)两端可转动连接，所述的工件槽(908)放置在所述的箱底座(910)内，所述的左连接管(912)和右连接管(911)分别固定连接在所述的箱底座(910)的两端，所述的左导流块(913)、右导流块(909)分别固定在所述的工件槽(908)的两侧，且分别位于所述的左连接管(912)和右连接管(911)中，所述的左导流块(913)、右导流块(909)、工件槽(908)与所述的约束斜面板(904)间形成过流流道。

7.根据权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述的 形的端盖(902)的两侧面上沿竖直方向开设若干孔，所述的约束斜面板(904)的一端通过销轴(905)插接在所述的孔中，并通过轴套(906)固定。