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专利号: 2019105004340
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,依次包括采用柔性材料制成的基底(1)、下电极(2)、介电层(3)和上电极(4)。

2.根据权利要求1所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,所述基底采用柔性PET、PVA、PI或PEN。

3.根据权利要求1所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,所述下电极(2)采用金属钛,下电极(2)位于基底(1)上横向10%~90%的区域上。

4.根据权利要求1所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,所述介电层(3)采用LiCoO2制成。

5.根据权利要求1所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,所述上电极(4)呈阵列排布。

6.根据权利要求书1中所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件制备方法,其特征在于:所述上电极采用金属银、钛或者铜。

7.如权利要求1~6任意一项所述的一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、选取柔性材料作为基底;

S2、将步骤S1选取的基底依次通过去离子水、乙醇、丙酮、乙醇、去离子水清洗干净,备用;

S3、在清洗干净的基底上横向10%~90%的区域沉积金属钛作为下电极;

S4、使用模具遮挡下电极纵向0%~30%的区域,并用高温胶带将样品固定;

S5、在未遮盖的下电极表面利用射频溅射沉积LiCoO2作为介电层;

S6、用具有网格的掩膜板掩盖介电层,将金属银、钛或者铜通过网格沉积在介电层上,作为器件的上电极。