1.金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，制备WSe2薄膜的先驱体水溶液；

步骤2，在WSe2薄膜的先驱体水溶液中加入单层氧化石墨烯水溶液和柠檬酸，得到WSe2/RGO先驱体水溶液；其中，单层氧化石墨烯和WSe2的质量比为0.025～0.050；

步骤3，将制备的WSe2/RGO先驱体水溶液在165～180℃的条件下水热处理后，在插入WSe2/RGO先驱体水溶液中的聚乙烯萘酚基片上，得到薄膜状的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构；

步骤4，将水热处理后剩余溶液中的沉淀物经过滤和洗涤后，干燥得到粉体状的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构。

2.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，所述的步骤1中，WSe2薄膜的先驱体水溶液是由仲钨酸铵溶于水和硒离子水溶液混合制备得到，硒离子水溶液是在蒸馏水中用1.5倍摩尔的硼氢酸钾(KH4B)还原金属硒粉制的；WSe2薄膜的先驱体溶液中钨离子和硒离子浓度比为1：2；水热处理时间为24h。

3.根据权利要求2所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，钨离子的浓度范围为0.10～0.25mol/L，硒离子的浓度范围为0.20～0.50mol/L。

4.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，步骤2中，在WSe2薄膜的先驱体溶液中加入浓度为1g/L的单层氧化石墨烯水溶液。

5.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，步骤2中，加入的柠檬酸和钨离子的摩尔比为1.5。

6.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，步骤3中，聚乙烯萘酚基片用乙醇超声洗涤。

7.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，步骤3中，在聚乙烯萘酚基片上形成的薄膜，经水冲洗后在70℃下干燥；步骤3中的干燥温度为70℃。

8.根据权利要求1所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构的制备方法，其特征在于，聚乙烯萘酚基片上的薄膜用于光检测；粉体用于Raman、TEM或光吸收率测试，或者用于光检测器的印刷制备。

9.金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构，其特征在于，由权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备得到。

10.根据权利要求9所述的金属结构二硒化钨/氧化还原石墨烯复合结构，其特征在于，所述的复合结构呈薄膜和/或粉体。