1.一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1：简化模型条件；

步骤2：捕获规则定义；

步骤3：生长模型建立；

步骤4：溶质再分配与扩散模型建立；

步骤5：计算及结果导出。

2.根据权利要求1所述的一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，所述步骤1简化模型条件包括：将整个凝固过程分为液相、固相和界面三种状态；

模型中忽略动力学过冷，只考虑温度过冷、成分过冷和曲率过冷；

三元合金凝固过程中设定溶质组元B和C，忽略溶质之间的互扩散，只考虑溶质的自扩散；

为了模拟结果更为准确，元胞邻域关系采用八邻域。

3.根据权利要求1所述的一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，所述步骤2具体按照以下步骤实施：步骤2.1、将模拟区域划分为正方形网格，每一个网格即为一个元胞；

步骤2.2、预先在熔池中心定义一个固相元胞，元胞周围的8个邻居元胞则为界面元胞，其余元胞均处于液相状态；

步骤2.3、选定步骤2.2所得的固相元胞，凝固开始时，对该固相元胞周围邻居元胞进行固相分数求解并判定，邻居元胞的固相分数大于1，则该元胞转变为固相元胞，其周围的液相元胞则被捕捉成为新的界面元胞；

步骤2.4、对步骤2.3所得新的固相元胞周围的界面元胞进行固相分数求解并判定，邻居元胞的固相分数大于1，则该元胞转变为固相元胞，其周围的液相元胞则被捕捉成为新的界面元胞，以此类推，直至整个熔池完全凝固。

4.根据权利要求1所述的一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，所述步骤3具体按照以下步骤实施：步骤3.1、总过冷度的计算，tn时刻的总过冷度可由下式得出：ΔT(tn)＝Tl-T(tn)+ml1×(Cl1(tn)-C1)+ml2×(Cl2(tn)-C2)-Γ(θ)×k(tn)式中：Tl为液相线温度；T(tn)为tn时刻液态金属的温度；ml1、ml2分别为溶质组元B、C的液相线斜率；Cl1(tn)、Cl2(tn)分别为溶质组元B、C在tn时刻的液相溶质浓度；C1、C2分别为溶质组元B、C的初始溶质浓度；Γ(θ)为Gibbs-Thompson系数；k(tn)为tn时刻的界面曲率；

步骤3.2、基于步骤3.1所得tn时刻的总过冷度，对v(tn)枝晶尖端生长速度进行计算，如下式所示：v(tn)＝μk(θ)×ΔT(tn)

式中：μk(θ)为界面动力学系数；

步骤3.3、基于步骤3.2所得的v(tn)，对Δfs界面元胞固相分数的增量进行计算，如下式所示：式中：G为邻位网格状态参数；Δt为时间步长；A为扰动因子；rand()能够在[0,1]产生一个随机数的函数；

n

步骤3.4、基于步骤3.3所得的Δfs，对fs界面元胞的固相分数进行计算，如下式所示：fsn+1＝fsn+Δfs

式中：fsn+1为下一时刻界面元胞的固相分数；fsn为当前时刻界面元胞的固相分数。

5.根据权利要求1所述的一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，所述步骤4具体按照以下步骤实施：步骤4.1、基于步骤3.3所得的fsn，对ΔCi界面元胞转变为固相元胞排出的多余溶质进行计算，如下式所示：ΔCi＝Cli×(1-ki)×Δfs

式中：Cli表示i(B或C)组元的液相溶质浓度；ki表示i组元的溶质平衡分配系数；

步骤4.2、基于步骤3.3所得的Δfs和步骤3.4所得的fsn，对已凝固的固相成分进行计算，如下式所示：式中：Csi表示i组元的固相溶质浓度；

步骤4.3、基于步骤4.1所得的ΔCi和步骤4.2所得的Csi，对溶质组元的扩散进行计算，如下式所示：式中：Dli、Dsi分别表示i组元的液相扩散系数和固相扩散系数。

6.根据权利要求1所述的一种三元合金凝固过程单个枝晶生长数值模拟方法，其特征在于，所述步骤5具体按照以下步骤实施：步骤5.1、基于步骤3和步骤4所建立的模型编写计算机程序；

步骤5.2、根据步骤5.1所得的计算机程序进行计算并导出结果。