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专利号: 2019105915527
申请人: 电子科技大学中山学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:包括:电极、钙钛矿纳米线、二氧化硅层、硅衬底层,二氧化硅层置于硅衬底层上,钙钛矿纳米线置于二氧化硅层上;钙钛矿纳米线的宽度为0.5微米到2微米之间;所述钙钛矿纳米线两端分别连接有一电极,所述钙钛矿纳米线中间具有一缝隙;

其中,所述硅衬底层与所述二氧化硅层之间还设有一金属层,且金属层和钙钛矿纳米线之间均会形成局域电磁场,局域电磁场分布在缝隙内。

2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述缝隙为沿所述钙钛矿纳米线长度方向的条形。

3.根据权利要求2所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述条形具有锯齿形边界。

4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述缝隙由沿纳米线长度方向排列的孔洞构成。

5.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述缝隙由离子束刻蚀方法制备的。

6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述金属层由不少于两个的条形结构平行排列构成。

7.根据权利要求6所述的基于钙钛矿纳米线的光探测结构,其特征在于:所述条形结构排列方向垂直于所述钙钛矿纳米线。