1.一种PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器包括下电极、阻变层和上电极，阻变层为PrBa2Cu3O7超导薄膜，阻变层的厚度为20~50 nm，下电极为Nb:SrTiO3，上电极为In金属层，In金属层的厚度为100 200 nm。

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2.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器的电流变化超过6个数量级范围时，PrBa2Cu3O7超导薄膜为零电阻状态。

3.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：随着温度降低，阻变存储器的电阻逐渐增大，300 K时阻变存储器的电阻为11848 Ω，随着温度降低到10 K，器件电阻增大到了583430 Ω，在10K时，阻变存储器发生阻变行为，电阻由高阻态HRS跳变为低阻态LRS，此时阻变存储器的电阻为26 Ω，随着温度升高，阻变存储器的电阻逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器电阻由HRS跳变为LRS后，温度介于10 26 K之间时，电阻几乎不变，维持在1×10-4 Ω。

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5.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器的超导转变温度Tc为26 K。

6.权利要求1-5任一项所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）选取Nb掺杂量为0.1 0.7 wt%的SrTiO3单晶作为衬底；

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（2）使用第一掩膜覆盖Nb:SrTiO3单晶衬底，在暴露出Nb:SrTiO3单晶衬底上利用脉冲激光沉积工艺制备PrBa2Cu3O7薄膜，将PrBa2Cu3O7薄膜激发为PBCO超导薄膜；

（3）使用具有图形的第二掩膜覆盖PBCO超导薄膜，在PBCO超导薄膜制备In上电极；

（4）移除第一掩膜和第二掩膜，暴露出In上电极和Nb:SrTiO3下电极。

7.根据权利要求6所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中脉冲激光选择KrF准分子激光，激光波长为248 nm，激光频率3 5 Hz，能量密度2 3 ~ ~J / cm2，沉积温度780-850 ℃，氧分压100~200 毫托，PrBa2Cu3O7薄膜的厚度为20~50 nm。

8.根据权利要求6所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中将PrBa2Cu3O7薄膜降温至10 K以下，并施加+ Imin→+ Imax的电流进行阻变和超导转变的触发，其中1×10−9 A＜+ Imin＜1×10−7 A，1×10−3 A＜+ Imax＜1×10−1 A，得到PBCO超导薄膜。