1.一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，包括一衬底(1)；所述衬底(1)上设置有GaN层(2)，所述GaN层(2)上设置有n型掺杂GaN层(3)，所述n型掺杂GaN层(3)上表面的一侧具有一台面，所述台面低于所述n型掺杂GaN层(3)的上表面，所述n型掺杂GaN层(3)上表面从下到上依次层叠设置有AlGaN势垒层Ⅰ(4)、超晶格层(5)、非故意掺杂GaN缓冲层(6)、量子阱吸收层(7)、AlGaN势垒层Ⅱ(8)和p型掺杂GaN层(9)，所述p型掺杂GaN层(9)上设置有多个p型电极(11)，相邻的所述p型电极(11)之间通过设置在所述p型掺杂GaN层(9)上的透明电极层(10)连接；

所述n型掺杂GaN层(3)的台面上设置有n型电极(12)。

2.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述AlGaN势垒层Ⅰ(4)为AlxGa1-xN，其中0＜x≤0.2，所述AlGaN势垒层Ⅰ(4)的厚度为35～

45nm。

3.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述AlGaN势垒层Ⅱ(8)为AlxGa1-xN，其中0＜x≤0.2，所述AlGaN势垒层Ⅱ(8)的厚度为25～

35nm。

4.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述量子阱吸收层(7)包括10～15个层叠设置的In0.16Ga0.84N/GaN周期结构，每个周期内In0.16Ga0.84N层的厚度为2～5nm，GaN层的厚度为5～10nm。

5.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述超晶格层(5)包括10个层叠设置的In0.04Ga0.96N/GaN周期结构，每个周期内In0.04Ga0.96N层的厚度为1～3nm，GaN层的厚度为1～5nm。

6.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂GaN层(9)为Mg掺杂的p-GaN层，所述p型掺杂GaN层(9)的厚度为30～50μm，掺杂浓度为1×1021cm-3。

7.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂GaN层(3)为Si掺杂的n-GaN层，所述n型掺杂GaN层(3)的厚度为1～3μm，掺杂浓度为1×1019cm-3。

8.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述GaN层(2)的厚度为1～3μm，所述非故意掺杂GaN缓冲层(6)的厚度为60～100nm。

9.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述p型电极(11)由Cr、Ni和Au依次沉积得到，所述n型电极(12)由Cr、Ni和Au依次沉积得到。

10.如权利要求1所述的一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，其特征在于，所述衬底(1)为蓝宝石衬底。