1.一种TiO2/SnO2-GO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）以四氨基钛为钛源，去离子为水源，采用原子层沉积法制备TiO2缓冲层；

（2）称取SnO2胶体溶液1 2ml，使用去离子水将SnO2胶体溶液稀释至原体积占稀释后液~体总体积的3% 4%；

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（3）称量氧化石墨烯粉末，溶入氯苯里，搅拌直至溶液均匀，得到浓度为1～3mg/ml的氧化石墨烯溶液，将氧化石墨烯溶液加入到步骤（2）的溶液中，搅拌至均匀；

（4）在TiO2缓冲层上旋涂步骤（3）的溶液，即得。

2.根据权利要求1所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备方法，其特征在于，所述四氨基钛为四(二甲氨基)钛，TiO2缓冲层的制备过程如下：将四(二甲氨基)钛的温度加热到75℃，沉积的衬底加热到250℃，水源不需要加温，其中，在氮气气氛下，四(二甲氨基)钛反应时间为0.3 0.5s，等待时间为60s ；水源的反应时~间为0.03s，等待时间为40s，循环沉积10 30次。

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3.根据权利要求1所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中氧化石墨烯溶液在步骤（2）溶液中的加入量为200μL。

4.根据权利要求2所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为AZO导电玻璃。

5.根据权利要求1所述TiO2/SnO2-GO薄膜的制备方法，其特征在于，旋涂时的转数是

3000 4000rpm，旋涂时间为30s，旋涂结束后在150℃退火30min，即可。

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6.权利要求1至5任一所述的制备方法制得的TiO2/SnO2-GO薄膜。

7.利用权利要求6所述的TiO2/SnO2-GO薄膜作为电子传输层得到的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括从下至上依次结构：1)AZO导电玻璃衬底；2) TiO2/SnO2-GO电子传输层；3) MAPbI3吸光层；4) Spiro-MeOTAD空穴传输层；5) 金电极或银电极层；MAPbI3吸光层、Spiro-MeOTAD空穴传输层均采用旋涂的方法得到；金电极或银电极层采用蒸镀的方法得到；TiO2/SnO2-GO电子传输层厚度为40 80nm，电子传输层中TiO2缓冲层厚度为10 30nm，SnO2-GO厚度~ ~为30~50nm，MAPbI3吸光层厚度为300~400nm，Spiro-MeOTAD空穴传输层厚度为200~300nm，金电极或银电极层厚度为80 120nm。

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8.权利要求7所述钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在带有AZO导电玻璃衬底的TiO2/SnO2-GO薄膜上沉积MAPbI3吸光层；

（2）在MAPbI3吸光层上沉积Spiro-MeOTAD空穴传输层，具体过程如下：将CH3NH3I和 PbI2溶入体积比为9:1的N, N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶剂中，CH3NH3I和 PbI2摩尔比为1:1，常温下溶解形成1mol/L浓度的溶液；以转数是4000～5000rpm的速度旋转5 8s后，滴~加200 300ml反溶剂氯苯旋转10s，退火，即得；

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（3）在Spiro-MeOTAD空穴传输层上蒸镀金电极或银电极。

9.权利要求8所述钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火是指先在75℃退火10min，后又100℃退火10min。