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专利号: 2019106396787
申请人: 青岛科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构,其特征在于,包括铋铁铬氧薄膜和铜锌硒硫薄膜,铋铁铬氧薄膜中各成分的摩尔比Bi:Fe:Cr:O=1:1-x:x:3(0

1),铜锌硒硫薄膜中各成分的摩尔比Cu:Zn:Sn:S=1.9:1.25:1:4.15。

2.一种权利要求1所述的一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)准备铋铁铬氧靶材,将所述铋铁铬氧靶材固定于脉冲激光沉积设备沉积舱的靶托上,备用;

(b)对基片进行预处理,之后将其固定在脉冲激光沉积设备沉积舱的样品台上,备用;

(c)用激光先轰击铋铁铬氧靶材,在基片上沉积一层铋铁铬氧薄膜;

(d)准备铜锌硒硫靶材,将所述铜锌硒硫靶材固定于脉冲激光沉积设备沉积舱的靶托上,备用;

(e)用激光轰击铜锌硒硫靶材,在步骤(c)所得沉积有铋铁铬氧薄膜的基片上、继续沉积一层铜锌硒硫薄膜,即可得到铜锌硒硫/铋铁铬氧氧化物钙钛矿异质结。

3.根据权利要求2所述的一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构的制备方法,其特征在于,步骤(c)中,沉积温度为650~750℃、氧气氛压强为0.1~10Pa。

4.根据权利要求2所述的一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构的制备方法,其特征在于,步骤(e)中,沉积温度为400~450℃、氩气氛压强为1~10Pa。

5.根据权利要求2所述的一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构的制备方法,其特征在于,步骤(e)中,优选地在铜锌硒硫薄膜沉积完毕后,加热控温器保持

450℃、氩气气氛压强为10Pa原位退火40min,之后等待自然降温至室温。