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专利号: 2019106485530
申请人: 江西师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,包括:金属层;

设置在所述的金属层上的介质层;

设置在所述的介质层上的周期性金属纳米结构阵列层,所述的周期性金属纳米结构阵列层由中间刻蚀有空气孔的金属圆柱体呈周期排列而成。

2.根据权利要求1所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的金属为金、铝、银或铜。

3.根据权利要求2所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的介质为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氟化镁。

4.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的金属层的厚度不小于100纳米,所述的介质层的厚度范围为100-130纳米。

5.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的空气孔的形状为三棱柱体、四棱柱体或圆柱体。

6.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的周期性金属纳米结构阵列层中的金属圆柱体的半径范围为180-240纳米,金属圆柱体的高度范围为25-35纳米。

7.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的空气孔的高度与所述的金属圆柱体的高度相等。

8.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器,其特征在于:所述的周期性金属纳米结构阵列层的阵列周期为500-700纳米。

9.根据权利要求1~8任一权利要求所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器的应用。

10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于:所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器用于制作高品质的光学传感器。