1.一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成；其制备方法，包括以下步骤：（1）将清洗过的FTO玻璃衬底放入反应釜底部，加入前驱液；

（2）将反应釜密封后，在100℃‑300℃下加热5h‑72h，清洗、干燥后得到规则排列的CuxS纳米片团簇，x=1或2；

 （3）通过连续离子层吸附与反应法，在CuxS纳米片团簇上沉积铟镓硫元素，再经过退火处理后，生成铜铟镓硫二维纳米结构阵列。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，所述半导体为具有单晶结构的铜铟镓硫。

3.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，所述半导体纳米片的厚度为0.1 nm‑1μm。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，前驱液与反应釜容积的比例为3‑4：5。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，制备Cu2S纳米片团簇所用前驱液的制备方法为：将二水合氯化铜、硫脲、PVP溶于95%的乙醇中，二水合氯化铜、硫脲、PVP的质量比为3‑5：4：0.5‑8；

制备CuS纳米片团簇所用前驱液的制备方法为：将二水合氯化铜、CTAB、硫化钠溶于去离子水中，二水合氯化铜、CTAB、硫化钠的质量比为1‑2：0.3‑0.7：2‑5。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，连续离子层吸附与反应法的具体方法为：在恒温水浴中，将步骤（2）所得FTO玻璃衬底在依次在InCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间，重复多个循环，再依次在GaCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间，重复多个循环。

7.根据权利要求6所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，恒温水浴的温度为

5℃‑50℃，所用InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液的浓度相同，浓度范围为0.01M‑1M，在InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液中的浸润时间相同，时间范围为0‑60s，在去离子水中浸润的时间为20s‑100s；重复循环次数为1‑500次。

8.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，退火处理是在氩气或者氮气保护下，100℃ ‑800℃加热0.1 h‑50 h。

9.一种权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列在光伏领域中的应用。