1.一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于由以下步骤组成：

1)配置钨酸钠和草酸铵的水溶液,用浓盐酸调节pH至1，搅拌混合均匀，以该混合溶液为水热反应液，FTO导电玻璃为基板，140℃水热反应3-6h，自然冷却后，取出FTO基板，水洗，干燥，550℃煅烧2.5h，即得纳米板状WO3薄膜；

2)将硝酸铋固体溶解于硝酸的水溶液中，移取一定体积的硝酸铋溶液，滴加到步骤1制备的WO3薄膜电极表面，室温干燥，500-650℃煅烧4-8h；高温煅烧过程中产生的氧化铋可通过HNO3溶液浸泡溶解去除，最后得到Bi2WO6纳米片光电极薄膜；

3)将步骤2所述Bi2WO6光电极薄膜电极放入低温等离子清洗机内，设置等离子体清洗机的处理时间和射频功率，开机抽真空，调节外加气体流量，反应结束即得富含氧缺陷的Bi2WO6光电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于步骤2所述将硝酸铋固体溶解于硝酸的水溶液中，其中硝酸铋的浓度为0.15-

0.3mol/L，硝酸的浓度为1-3mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于，步骤2所述移取一定体积的硝酸铋溶液，移取的体积为20-150μL。

4.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于，步骤2所述氧化铋可通过HNO3溶液浸泡溶解去除，其中HNO3溶液浓度为5-8mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于，步骤3所述处理时间为1-60min，射频功率为10-100W。

6.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于，步骤3所述外加气体为空气、氧气、氮气或氢气中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，其特征在于，步骤3所述外加气体流量为1-100ml/L。