1.一种中红外波段的超宽带完美吸收器，包括：

基底层；

设置在基底层上的非金属介质层；

设置在非金属介质层上的金属吸收层；

设置在金属吸收层上的非金属抗反射层；

其中，所述金属吸收层由两个纳米圆环和两个椭圆纳米盘按周期阵列而成，所述基底层由不透明耐火金属材料制成，所述非金属介质层采用半导体材料制作而成，所述金属吸收层采用不透明耐火金属材料制作而成，所述非金属抗反射层采用半导体材料制作而成，所述不透明耐火金属为钛、钨、镍或铬，所述半导体材料为二氧化硅；所述基底层、非金属介质层、金属吸收层和非金属抗反射层的厚度分别为300纳米、50纳米、70纳米、200纳米；所述两个纳米圆环的外半径为160纳米，内半径为50纳米；所述两个椭圆纳米盘的长半轴为150纳米，短半轴为60纳米；所述周期为400纳米。

2.根据权利要求1所述的中红外波段的超宽带完美吸收器的制备方法，包括以下步骤：步骤1、准备洁净的玻璃片；

步骤2、在步骤1玻璃片上蒸镀一层金属膜，形成基底层；

步骤3、在步骤2的基底层上蒸镀一层半导体材料，形成非金属介质层；

步骤4、在经步骤3的非金属介质层上铺设金属纳米结构，形成金属吸收层；

步骤5、在步骤4的金属吸收层上蒸镀一层半导体材料，形成非金属抗反射层，得到中红外波段的超宽带完美吸收器。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：在步骤4中，通过在非金属介质层表面上自旋涂覆光刻胶，并利用电子束曝光和显影技术形成目标结构的逆结构，然后利用电子束沉积一定厚度的金属层；其中目标结构为两个纳米圆环和两个椭圆纳米盘按周期阵的结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：在步骤5中，通过磁溅射法蒸镀一层半导体材料，形成非金属抗反射层，然后剥离多余的光刻胶并对非金属抗反射层表面进行平面化，得到中红外波段的超宽带完美吸收器。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤2、3和5中的镀膜采用磁控溅射法镀膜。