1.一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于：包括若干电子晶体管本体(1)，所述电子晶体管本体(1)为正六边形结构，若干所述电子晶体管本体(1)组成蜂窝状结构；

所述电子晶体管本体(1)中心部设有一核心通道(101)，两所述电子晶体管本体(1)侧边连接处刻蚀有边通道(2)；

所述边通道(2)为无阻型边通道或阶梯受阻型边通道或次强电穿透型边通道或强电穿透型边通道；

所述阶梯受阻型边通道、次强电穿透型边通道和强电穿透型边通道、无阻型边通道均分别包括硅晶壁(201)，所述硅晶壁(201)内开设有第一刻槽(202)，所述第一刻槽(202)上开设有一组第二刻槽(203)，所述第一刻槽(202)内且位于一组第二刻槽(203)之间的位置设有电荷测量微晶体管(204)。

2.根据权利要求1所述的一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于，所述无阻型边通道上的第一刻槽(202)和第二刻槽(203)内均填充有隧道氧化物(205)。

3.根据权利要求1所述的一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于，所述阶梯受阻型边通道上的第一刻槽(202)内填充有隧道氧化物(205)，所述阶梯受阻型边通道上的一组第二刻槽(203)内分别填充有次强电场可穿透氧化物层(206)和强电场可穿透氧化物层(207)。

4.根据权利要求1所述的一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于，所述次强电穿透型边通道上的第一刻槽(202)内填充有隧道氧化物(205)，所述次强电穿透型边通道上的一组第二刻槽(203)内均填充有次强电场可穿透氧化物层(206)。

5.根据权利要求1所述的一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于，所述强电穿透型边通道上的第一刻槽(202)内填充有隧道氧化物(205)，所述强电穿透型边通道上的一组第二刻槽(203)内均填充有强电场可穿透氧化物层(207)。

6.根据权利要求1所述的一种多极式蜂窝电子晶体管结构，其特征在于，所述硅晶壁(201)为纯硅晶体，所述硅晶壁(201)周侧面涂覆有绝缘镀层。