1.一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，下电极以柔性材料为衬底，上电极与下电极间设有CsPbBr3钙钛矿薄膜，上电极、下电极均采用柔性电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，其特征在于，下电极为惰性金属薄膜电极；上电极为金属薄膜电极。

3.根据权利要求2所述的一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，其特征在于，下电极的主要成分为金、或铂；上电极的主要成分为金、铂、铜、或银。

4.根据权利要求1所述的一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，其特征在于，下电极的厚度为80-200nm，CsPbBr3钙钛矿薄膜厚度为80nm，上电极的厚度为100nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，其特征在于，柔性材料衬底为PET、PI、或表面抛光的金属箔。

6.一种一步溶液法制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将CsPbBr3粉末溶解于足量的二甲基亚砜溶液中，充分混合得沉积CsPbBr3薄膜的先驱溶液；

2）将先驱溶液施工于设有柔性衬底的下电极表面，得先驱溶液涂层，然后快速加入适量的反溶剂、混合、并使涂层均匀；将前述材料置于惰性环境下120℃退火，自然冷却得到CsPbBr3钙钛矿薄膜；

3）令上电极与CsPbBr3钙钛矿薄膜相结合，得到全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器。

7.根据权利要求6所述的一种一步溶液法制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器的方法，其特征在于，设有柔性衬底的下电极，是令下电极与柔性衬底表面相结合得到的。

8.根据权利要求7所述的一种一步溶液法制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器的方法，其特征在于，下电极为惰性金属材料，通过磁控溅射、热蒸发或激光脉冲沉积法与柔性衬底相结合；上电极为金属材料，通过磁控溅射、热蒸发或激光脉冲沉积法与CsPbBr3钙钛矿薄膜相结合。

9.根据权利要求6所述的一种一步溶液法制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器的方法，其特征在于，步骤2）中，采用旋涂法将先驱溶液施工于下电极表面，旋涂过程中加入反溶剂，使涂层混合并得到均匀涂层；所述反溶剂为氯苯。

10.根据权利要求6所述的一种一步溶液法制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器的方法，其特征在于，具体步骤包括：

1）选择柔性衬底，在其上沉积厚度为80-200nm的金属薄膜作为下电极；

2）将溴化铅和溴化铯粉末按照1mol：1mol的比例通过研磨混合均匀，以6℃/min的加热速率在氮气环境中，升温到600℃，然后保持该温度对粉末样品进行煅烧24h，自然冷却后获得CsPbBr3粉末；取0.05g的CsPbBr3粉末溶解于过量的二甲基亚砜溶液中，超声15min，获得沉积CsPbBr3薄膜的先驱溶液；将配置的溶液以1000-6000rpm的转速旋涂于衬底上，旋涂的时间为60s，在旋涂的最后10s，加入两滴反溶剂溶液；之后在氮气环境中120℃下退火

40min，自然冷却后得到全无机钙钛矿薄膜，作为存储层；

3）采用直径为20 200μm的圆形掩模版，在无机钙钛矿薄膜上沉积金属薄膜，作为上电~极。