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专利号: 2019106981634
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-06-03
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:该传感器包括正面微带线结构,中间的介质基板和背面接地金属板;所述正面微带线结构为上下对称结构,包括50欧姆输入微带线(1)及50欧姆输出微带线(1),以及基片集成波导(3)和共面波导(2),正面微带线结构通过基片集成波导(3)—共面波导(2)—微带线(1)转换结构实现转换,由50欧姆微带线(1)、共面波导(2)和基片集成波导(3)进行激励;所述中间的介质基板两侧为金属化过孔(4);所述背面接地金属板通过开槽方式加载三个开口方向各不相同的互补开口谐振环(5)。

2.根据权利要求1所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:所述介质基板两侧的金属化过孔(4)直径为1mm,相邻过孔距离为1.8mm,内壁为金属层,基板中的通孔等效于矩形波导的两个侧壁,将电磁场限制在SIW中传播。

3.根据权利要求2所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:所述背面接地金属板通过在金属平面蚀刻出SRR形状的缝隙(5)来提高微波电路的谐振特性,通过利用多环之间的耦合实现器件整体品质因数的提高及能量的集中传输;三个CSRR中,左右两边的开口(6)方向与微带线平行,位于中间的CSRR开口方向与微带线垂直。

4.根据权利要求3所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:CSRR环缝隙的长度为0.3mm,内径为2.4mm,内外环相距0.5mm,相邻两个CSRR环距离为

9.0mm。

5.根据权利要求4所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:所述介质基板为Rogers5880,其相对介电常数为2.2,介质损耗为0.0009,厚度为

0.787mm。

6.根据权利要求5所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:所述介质基板尺寸为31.2mm*12mm*0.787mm,上下两层金属铜箔厚度均为0.018mm。

7.根据权利要求6所述的一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器,其特征在于:所述50欧姆输入微带线及50欧姆输出微带线的线宽为1.1mm,长度为10mm。