1.基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器，为两端口器件，包括介质层、位于介质层上表面的顶层金属层、位于介质层下表面的底层金属层、用于连接SMA连接头的两个输入端口；其特征在于所述的顶层金属层刻槽有两个金属CSRR结构；

上述两个金属CSRR结构由大小不同的两个开口环谐振器构成，其中开口环谐振器为开口槽环；较小开口环谐振器内嵌在较大开口环谐振器内；两个开口环谐振器的开口方向相反；

两个开口环谐振器的中心与微波谐振器的结构中心重叠；

较大开口环谐振器开口处至较小开口环谐振器的空间位置为电场强度最大、磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品；

顶层金属层对称两侧分别开有第一矩形缺口、第二矩形缺口；

两矩形缺口中心所在的直线与两开口环谐振器开口中心所在的直线重叠；

第一输入端口与第一微带线的一端连接，第一微带线的另一端伸入第一矩形缺口与顶层金属层连接，第二输入端口与第二微带线的一端连接，第二微带线的另一端伸入第二矩形缺口与顶层金属层连接；

第一微带线、第二微带线位于两开口环谐振器开口中心所在的直线上；

顶层金属层的四周边沿除了矩形缺口位置均开有周期性分布的若干金属通孔，用于连接两层金属层；由上述金属通孔构成了SIW。

2.如权利要求1所述的基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器，其特征在于所述介质层为方形PCB板。

3.如权利要求1所述的基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器，其特征在于两开口环谐振器的槽宽相同。

4.如权利要求1或3所述的基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器，其特征在于较大开口环谐振器的开口间距与两开口环谐振器间的间隙等距。

5.如权利要求1所述的基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器，其特征在于SIW的壁边长度L1为100mm；第一矩形缺口、第二矩形缺口的尺寸相同，长L2为16.4mm，宽L3为9mm；第一微带线、第二微带线的尺寸相同，线宽L4为1.1mm；较大开口环谐振器为正方形开口槽环，开口位于其中一边的中心，边长a为32mm，两开口环谐振器的间距g为1.6mm，两开口环谐振器的开口距离g为1.6，两开口环谐振器的槽宽W为1.6mm；构成SIW的金属通孔的孔径d1为1，相邻两金属通孔的距离d2为2mm。