1.一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：步骤1）、配制浓度为0.015 0.05 g/ml的淀粉溶液；

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步骤2）、将清洗过的玻璃片放在匀胶机中样品托的中心位置，把配制好的淀粉溶液滴涂在玻璃片上，设置匀胶机的转速和时间，启动匀胶机；

步骤3）、重复步骤2)四次；

步骤4）、采用真空蒸发镀膜在淀粉薄膜的玻璃片上蒸镀厚度为50 500nm的金属衬底薄~膜；

步骤5）、将采用水热法制备出的MoS2在异丙醇中球磨处理2 6h，制备MoS2悬浮液；

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步骤6）、在底电极上采用旋涂法制备一层MoS2薄膜；

步骤7）、采用真空蒸发镀膜在MoS2薄膜上蒸镀直径250μm、厚度为50~500nm的顶电极；

步骤8）、将制备好的器件放入去离子水中，水溶性淀粉牺牲层溶解，Ag/MoS2/Cu阻变存储器与玻璃片完全分离后将器件转移到不同衬底上，采用吉时利(keithely)4200-SCS半导体特性分析仪进行阻变特性测试。

2.根据权利要求1所述柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，玻璃片大小为20 mm×20 mm×2 mm，将玻璃片分别在丙酮和无水乙醇中超声清洗10 min，再用去离子水冲洗并用氮气枪吹走玻璃片表面的水分；设置匀胶机的参数为：低转速

500 rpm、时间20 s，高转速1000 3000 rpm、时间99 s。

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3.根据权利要求1所述柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，步骤4)中，真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2 Å/s、本底真空小于5×10-4 Pa、蒸镀功率为160 190 ~ ~w。

4.根据权利要求1所述柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，步骤5)中，以钼酸铵、硫脲、盐酸羟胺为原料通过水热法制备MoS2，制备MoS2悬浮液所需MoS2的量为

1 4g、异丙醇的体积为10 40ml。

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5.根据权利要求1所述柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，其特征在于，步骤7)中，真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2 Å /s、本底真空小于5×10-4Pa、蒸镀功率为130 160 ~ ~w。