1.一种基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，其特征在于，包括硅基板(3)，所述硅基板(3)的上表面设置有上二氧化硅基板(4)，硅基板(3)的下表面设置有下二氧化硅基板(1)，所述上二氧化硅基板(4)中嵌装有上回字形磁芯(5)，下二氧化硅基板(1)中嵌装有下回字形磁芯(2)，所述上回字形磁芯(5)和所述下回字形磁芯(2)形成的四组对应侧边之间依次设置有控制电感Lctrl、电感L1、电感L2和电感L3，其中电感L1的输出端与电感L2的输入端连接，电感L2的输出端与电感L3的输入端连接；上回字形磁芯(5)和下回字形磁芯(2)中设置有TSV垂直开关(11)，TSV垂直开关(11)的源极与电感L1的输出端连接，TSV垂直开关(11)的漏极与电感L3的输入端连接；所述控制电感Lctrl、电感L1、电感L2和电感L3均包含多个交错分布的上重布线层(6)和下重布线层(8)，其中多个上重布线层(6)呈水平斜向分布在上回字形磁芯(5)的上方，多个下重布线层(8)呈水平分布在下回字形磁芯(2)的下方，每相邻的上重布线层(6)与下重布线层(8)的首尾依次通过柱状的硅通孔(7)连接。

2.根据权利要求1所述的基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，其特征在于，所述控制电感Lctrl中上重布线层(6)和下重布线层(8)的数量均为N，N不小于1的整数，并且每相邻的上重布线层(6)和下重布线层(8)的首尾依次通过硅通孔(7)相接。

3.根据权利要求1所述的基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，其特征在于，所述电感L1中上重布线层(6)的数量为N，下重布线层(8)的数量为N+1，N不小于1的整数，并且每相邻的上重布线层(6)和下重布线层(8)的首尾依次通过硅通孔(7)相接。

4.根据权利要求1所述的基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，其特征在于，所述电感L2中上重布线层(6)和下重布线层(8)的数量均为N，N不小于1的整数，并且每相邻的上重布线层(6)和下重布线层(8)的首尾依次通过硅通孔(7)相接。

5.根据权利要求1所述的基于TSV垂直开关的可调磁芯TSV电感器，其特征在于，所述电感L3中上重布线层(6)的数量为N，下重布线层(8)的数量为N-1，N不小于1的整数，并且每相邻的上重布线层(6)和下重布线层(8)的首尾依次通过硅通孔(7)相接。