1.一种低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、在惰性保护气氛下，将磨球与硅化镁以(20-30):1的球料比在300-1000r/min的条件下，球磨6-108h，然后将研磨均匀的混合物转移至密闭的反应器；

S2、将反应器抽真空后通入1～80bar CO2气体，然后以0.5～10℃/min的升温速率加热至300～1000℃，保温0.5～10h；

S3、待冷却至室温后，取出反应器内的产物，将产物依次经1mol/L的稀盐酸浸泡20-

30min、去离子水洗涤2-3次、酒精洗涤2-3次后抽滤，最后在70-80℃的条件下烘干得到Si/SiC复合材料。

2.根据权利要求1所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，所述硅化镁的纯度不低于化学纯。

3.根据权利要求1或2所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，磨球与硅化镁以

30:1的球料比在400-800r/min的条件下，球磨12-48h。

4.根据权利要求3所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，步骤S1中将硅化镁以

30:1的球料比在500r/min的条件下，球磨24h。

5.根据权利要求1所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，通入的CO2气体压力为5～30bar。

6.根据权利要求5所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，通入的CO2气体压力为

10bar。

7.根据权利要求1或2所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，将反应器以1～5℃/min的升温速率加热至600～800℃，保温2～8h。

8.根据权利要求7所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，将反应器以2℃/min的升温速率加热至650℃，保温5h。