1.化合物硅酸铅锶，其特征在于，该化合物硅酸铅锶化学式为PbSrSiO4。

2.根据权利要求1所述的化合物硅酸铅锶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将含铅化合物、含锶化合物、含硅化合物混合采用固相反应法制得所述化合物硅酸铅锶，其中，含铅化合物中元素铅、含锶化合物中元素锶、含硅化合物中元素硅的摩尔比为1:1:1。

3.权利要求2所述化合物硅酸铅锶的制备方法，其特征在于，所述化合物硅酸铅锶采用固相反应法制备，过程包括：将含铅化合物、含锶化合物、含硅化合物原料混合均匀，研磨后放入马弗炉中，预烧排除原料中的水分和气体，冷却至室温，取出研磨之后放入马弗炉中煅烧，制得化合物硅酸铅锶；

所述含铅化合物包括有氧化铅、氢氧化铅及铅盐中的至少一种；铅盐包括氯化铅、溴化铅、氟化铅、碳酸铅、醋酸铅、硫酸铅中的至少一种；

所述含锶化合物包括氧化锶、氢氧化锶及锶盐中的至少一种；锶盐包括氯化锶、溴化锶、硝酸锶、草酸锶、碳酸锶、氟化锶中的至少一种；

所述含硅化合物为氧化硅。

4.化合物硅酸铅锶非线性光学晶体，其特征在于，该晶体的化学式为PbSrSiO4，分子量338.9，不具有对称中心，属正交晶系，空间群P212121，晶胞参数为

5.权利要求4所述的硅酸铅锶非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用高温熔液法硅酸铅锶非线性光学晶体。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述硅酸铅锶非线性光学晶体采用高温熔液法制备，过程包括：a、将权利要求1-3任一所得的化合物硅酸铅锶单相多晶粉末或权利要求1-3任一所得的化合物硅酸铅锶单相多晶粉末与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

或直接将含铅化合物、含锶化合物和含硅化合物的混合物或含铅化合物、含锶化合物和含硅化合物与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

b、盛有步骤a制得的混合熔液的坩埚置入晶体生长炉中，将籽晶固定于籽晶杆上，将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔，降至饱和温度；降温或恒温生长，制备出硅酸铅锶非线性光学晶体。

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于其中化合物硅酸铅锶单相多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:5-20；或者其中含铅化合物、含锶化合物和含硅化合物与助熔剂的摩尔比为

1:1:1:5-20；助熔剂包括氧化铅、氯化锶、氟化铅、氟化锂、铅盐、锶盐、硅盐中的至少一、氧化铅、复合助熔剂PbO-SiO2、PbO-SrCl2、PbO-PbF2、SrF2-PbO、SrF2-SrCl2中一种或多种。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于，复合助熔剂PbO-PbF2体系中PbO与PbF2的摩尔比为1-3:2-5；PbO-LiF体系中PbO与LiF摩尔比为1-3:3-5；PbO-SrF2体系中PbO与SrF2的摩尔比为1-5:2-5；LiF-SrF2体系中LiF与SrF2摩尔比为1-5:3-5；SrF2-H3BO3体系中SrF2与H3BO3摩尔比为1-4:1-5；LiF-H3BO3-PbO体系中LiF、PbO与H3BO3摩尔比为2-5:1-5:3-5。

9.根据权利要求4所述的硅酸铅锶非线性光学晶体的用途，其特征在于，该硅酸铅锶非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。