1.一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：‑4 ‑3

步骤一、将经过粗磨加工的光学元件放置于真空度为8.0×10 ～2.0×10 Pa的真空室内，再通入高纯度氩气将真空室的真空度降至0.5～10Pa，启动射频电源，将氩气电离；

步骤二、工作区域形成“W”形的刻蚀区；

步骤三、真空室内冲入洁净氮气至大气状态，去除光学元件，对加工区域的去除斑进行测量，获得去除函数和材料的去除效率；

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步骤四，再次安装需加工光学元件，抽真空至2.0×10 Pa，充入高纯度氩气后开启射频电源，将氩气电离；

步骤五、待工作稳定后导入活性气体，磁极位于真空室外、光学元件的下方，根据步骤三提供的数据，从光学元件的一端开始，以设定速度同步移动气体分配器和磁极，使等离子体加工区域和磁场加工区域重叠，实现对光学元件表面的加工；所述磁极的分部结构包括跑道型的外磁极，在外磁极内延其长轴方向设置有内磁极，长轴方向与运动方向垂直；

步骤六，待加工完成后，关闭电源和气源，保持高真空维持退火60min，之后取出待加工光学零件，对其进行测量，以判断是否达到加工要求。

2.根据权利要求1所述大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤一中，氩气电离开始后，再在光学元件的加工区域处通过气体分配器通入充分混合的活性气体。

3.根据权利要求2所述大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述活性气体是高纯度的氟气和氧气，两种气体的质量流量比为1:1，氧气的质量流量控制在总气体质量流量的3～5％。

4.根据权利要求2所述大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述活性气体是高纯度的三氟化氮和氧气，两种气体的质量流量比为20:1，氩气质量流量占比为前两者气体流量的10％。