1.一种低温电沉积制备Sm‑Co合金薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：S1、将1‑乙基‑3‑甲基四氟硼酸咪唑和1‑（2‑胺乙基）‑3‑甲基咪唑溴盐按质量百分数配比的混合物作为熔盐，而后将熔盐加热至40～80℃，且1‑乙基‑3‑甲基四氟硼酸咪唑与1‑（2‑胺乙基）‑3‑甲基咪唑溴盐的质量百分数配比为99.6∶0.4；

在搅拌条件下将溶质加入到熔盐中，而后再搅拌6～8h得熔盐中间液；

S2、以Pt片为惰性阳极，高纯铜片为阴极，对熔盐中间液通电进行电解，电解时控制电2

流密度为0.01～0.1A/cm，电解时间1～2h，在阴极表面获得Sm‑Co合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低温电沉积制备Sm‑Co合金薄膜的方法，其特征在于，步骤S1）中，所述溶质为CoCl2和SmCl3，每1L熔盐中，CoCl2加入量为0.02～0.05mol、SmCl3加入量为0.1 0.4mol。

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3.根据权利要求1所述的一种低温电沉积制备Sm‑Co合金薄膜的方法，其特征在于，步骤S2）中，对高纯铜片进行预处理，首先将高纯铜片放入1∶1的HCl溶液中浸泡10min，再用金相砂纸打磨和0.15μm的Al2O3粉抛光，而后采用丙酮、蒸馏水、无水乙醇对铜片超声清洗，干燥后待用。

4.根据权利要求1所述的一种低温电沉积制备Sm‑Co合金薄膜的方法，其特征在于，步骤S2）中，获得的Sm‑Co合金薄膜中Sm的质量分数为12 34%，Co的质量分数为65～87%。

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5.根据权利要求1所述的一种低温电沉积制备Sm‑Co合金薄膜的方法，其特征在于，步骤S2）中，获得的Sm‑Co合金薄膜厚度为30 110μm。

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