1.一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法，其特征是：Au-ZnIn2S4纳米阵列的制备方法是：基于ZnIn2S4纳米阵列电极在其表面光沉积纳米Au颗粒，提高ZnIn2S4的光催化固氮性能；首先采用水热法在FTO导电玻璃上生长一层ZnIn2S4纳米片阵列，通过光沉积的方法在其表面沉积Au颗粒；Au-ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中，持续通入高纯氮气，在氙灯光照下将N2转化为NH3，进而转化为NH4+；取反应溶液与纳氏试剂混合显色，确定反应溶液中NH4+浓度，进而确定材料光催化固氮性能；

所述的Au-ZnIn2S4纳米阵列的制备方法，具体步骤如下：

步骤1.利用硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O、三氯化铟InCl3、硫化尿素CH4N2S以摩尔比为1:2:4的比例配置前驱体溶液，通过一步水热法制得具有ZnIn2S4纳米层的FTO导电玻璃电极，即ZnIn2S4纳米阵列电极；

步骤2.取20-60μL 50mmol/L的HAuCl4溶液用纯水稀释至100mL，将该溶液转移至石英电解池中，将ZnIn2S4电极片用聚四氟乙烯电极夹固定在石英电解池中，通过氙灯模拟太阳光照射使溶液中的Au3+还原成的Au单质沉积在ZnIn2S4电极片表面，制备出Au-ZnIn2S4纳米阵列电极；

步骤3.对Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料性能进行测试，Au-ZnIn2S4电极片固定放进甲醇水溶液中，持续通入高纯氮气，在模拟太阳光照射之前预先通气20min，以模拟太阳光为能量来源，用铂片电极夹固定Au-ZnIn2S4纳米阵列电极，组建光催化反应池；在氙灯光照下将N2转化为NH3，进而转化为NH4+；取反应溶液与纳氏试剂混合显色，确定反应溶液中NH4+浓度，进而确定材料光催化固氮性能；

所述的步骤2中，模拟太阳光照射的光照强度为100mW/cm2 ，在室温下照射20-40min；

所述的步骤3中，通入的高纯氮气N2的流量20mL/min，在模拟太阳光照射之前预先通气

20min；所述的甲醇水溶液中，99wt％甲醇与水的体积比为1:4；

所述的步骤1中，ZnIn2S4纳米阵列的生长制备，具体步骤如下：

步骤(1-1)，清洗：将溅射有SnO2的FTO导电玻璃裁成2×3cm的小片并编号，依次用混有玻璃清洗剂的纯水溶液、纯水、异丙醇、乙醇95wt％、乙醇99wt％超声30min，后自然晾干，备用；

步骤(1-2)，改性：将步骤(1-1)中的清洗干净的FTO导电玻璃放入纯水︰双氧水︰氨水为

5︰1︰1的溶液中，静置10min，镊子夹出，用大量纯水冲洗干净，自然晾干，备用；

步骤(1-3)，配制前驱体溶液：以盐酸配置pH为1.8的水溶液，将0.75mmolZn(NO3)2·

6H2O、1.50mmolInCl3、3mmolCH4N2S溶于30mL pH＝1.8的水中，磁力搅拌20min使药品完全溶解，制得前驱体溶液；

步骤(1-4)，将经改性过的FTO导电玻璃导电面朝下倾斜放入50mL水热反应釜内衬，将步骤(1-3)中前驱体溶液转移至反应釜中；

步骤(1-5)，反应釜密封，置于烘箱中，180℃保温3h，自然冷却至室温，得到FTO导电玻璃导电面均匀长满淡黄色的薄膜，该淡黄色的薄膜为ZnIn2S4 纳米薄膜；FTO导电玻璃经缓水冲洗、真空干燥6h后的得到ZnIn2S4纳米阵列电极；

所述的步骤2中，在ZnIn2S4纳米阵列表面沉积金；具体步骤如下：

步骤(2-1)，将20-60μL 50mmol/L的HAuCl4用纯水稀释至100mL，将溶液移入石英电解池中；

步骤(2-2)，将ZnIn2S4电极用聚四氟乙烯电极夹固定，全部浸入步骤(2-1)中溶液，长有ZnIn2S4纳米薄膜的面朝向氙灯光源，在磁力搅拌中光照20-40min，对ZnIn2S4电极实施光沉积；

步骤(2-3)，将光沉积过的电极用去离子水冲洗3次，60℃真空干燥6h得到表面沉积Au的Au-ZnIn2S4纳米阵列电极。

2.根据权利要求1所述的一种Au-ZnIn2S4纳米阵列电极光催化固氮材料的制备方法的专用装置，其特征是：在ZnIn2S4纳米阵列表面光沉积金颗粒的专用装置：包括氙灯模拟太阳光、电极夹、ZnIn2S4纳米阵列电极、磁力搅拌器、磁子和电化学反应池；在磁力搅拌器上安置电化学反应池，在电化学反应池内有磁子，在电化学反应池上端有电极夹，电极夹夹持ZnIn2S4纳米阵列电极，在电化学反应池外有氙灯模拟太阳光照射ZnIn2S4 纳米阵列电极，ZnIn2S4纳米阵列电极置于电解液中。