1.一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，包括继电器矩阵主控制电路以及分别与继电器矩阵主控制电路连接的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路，所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Qm、行场效应开关管V0～Vn、继电器线圈J00～Jmn以及继电器常闭触点K00～Kmn，其中，m、n为大于或等于0的整数，所述的继电器线圈J00～Jmn排列成继电器线圈矩阵，所述的列场效应开关管Q0～Qm排列在继电器线圈矩阵的列方向，所述的行场效应开关管V0～Vn排列在继电器线圈矩阵的行方向，在两者的各个行列交叉处分别设置继电器线圈J00～Jmn，所述的继电器线圈J00的一端连接列场效应开关管Q0，继电器线圈J00的另一端连接行场效应开关管V0，该继电器线圈J00的通断由列场效应开关管Q0和行场效应开关管V0控制，以此类推，继电器线圈Jmn的一端连接列场效应开关管Qm，继电器线圈Jmn的另一端连接行场效应开关管Vn，该继电器线圈Jmn的通断由列场效应开关管Qm和行场效应开关管Vn控制，所述的继电器常闭触点K00～Kmn用于设置故障点，串联在实训教学器具的电气线路当中，所述的微处理器接口列点位控制电路连接列场效应开关管Q0～Qm，用于控制列场效应开关管Q0～Qm的通断，所述的微处理器接口行点位控制电路连接行场效应开关管V0～Vn，用于控制行场效应开关管V0～Vn的通断。

2.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的继电器矩阵主控制电路还包括列场效应开关管保护用二极管S0～Sm、行场效应开关管保护用二极管G0～Gn以及继电器保护用二极管D00～Dmn，所述的列场效应开关管保护用二极管S0～Sm与列场效应开关管Q0～Qm一一对应，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的负极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的漏极端，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的正极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的源极端，所述的行场效应开关管保护用二极管G0～Gn与行场效应开关管V0～Vn一一对应，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的负极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的漏极端，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的正极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的源极端，所述的继电器保护用二极管D00～Dmn与继电器线圈J00～Jmn一一对应，继电器保护用二极管D00～Dmn的负极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的一端，并分别连接所在列的列场效应开关管Q0～Qm的源极端，继电器保护用二极管D00～Dmn的正极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的另一端，并分别连接所在行的行场效应开关管V0～Vn的漏极端。

3.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路的点位数量有m+1个，所述的列场效应开关管Q0～Qm分别连接一微处理器接口列点位控制电路的对应点位，所述的微处理器接口行点位控制电路的点位数量有n+1个，所述的行场效应开关管V0～Vn分别连接一微处理器接口行点位控制电路的对应点位。

4.根据权利要求3所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路的结构相同。

5.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路包括六反相器芯片IC、光耦TL、电阻R1、电阻R2以及电阻R3，其中，所述的六反相器芯片IC采用74HC04、所述的光耦TL采用EL817，电阻R1的一端和六反相器芯片IC的14脚共同连接直流电源V+，电阻R1的另一端连接光耦TL的1脚，光耦TL的2脚连接六反相器芯片IC的2脚，六反相器芯片IC的1脚构成电路的输入端H，即对应各微处理器接口列点位，光耦TL的4脚连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接直流电源VDD，光耦TL的3脚与电阻R3的一端连接，并构成电路的输出端T，用于连接所述的继电器矩阵主控制电路中的列场效应开关管Q0～Qm中的任意一个，电阻R3的另一端连接地。