1.一种提升YAG基透明陶瓷掺杂离子固溶度的方法，其特征在于，所制备的YAG基透明陶瓷组分满足下式：(RexY1‑x)3(CryAl1‑y‑z)5O12，

式中x的取值范围是0.06≤x≤0.08，y的范围是0≤y≤0.05，z的范围是‑0.028≤z≤

0.020，其中z≠0，Re为Ce、Nd、Ho的一种；

具体步骤如下：

S1.浆料配制：根据化学式(RexY1‑x)3(CryAl1‑y‑z)5O12，0.06≤x≤0.08，0≤y≤0.05，‑

0.028≤z≤0.020，其中z≠0，中各元素的化学计量比分别称取Y2O3粉体、α‑Al2O3粉体、Re2O3粉体或ReO2粉体、Cr2O3粉体，称量后置于球磨罐中，加入烧结助剂、分散剂和无水乙醇配制浆料，所述烧结助剂为正硅酸乙酯、氧化镁、氧化钙、氟化镁、氟化钙的一种或多种，烧结助剂总添加量为Y2O3粉体、α‑Al2O3粉体质量总和的0.02‑0.80wt.%；

S2.球磨及粉体处理：将装有浆料和磨球的球磨罐置于球磨机中进行球磨，得到混合浆料，将混合浆料置于烘箱中干燥，再将干燥后的粉料研磨过筛；

S3.粉体成型：将步骤S2中过筛后的粉体置于模具中，采用10Mpa‑80Mpa压力压制成素坯，将获得的素坯置于密封袋中，于80Mpa‑300Mpa压力下冷等静压成型，保压时间为1‑

40min；将上述冷等静压压制后的素坯置于马弗炉中，在空气或氧气气氛下于400‑1200℃预煅烧2‑16h，并降温至20‑50℃；

S4.素坯烧结：将步骤S3中预煅烧后的素坯置于真空烧结炉中，首先于1300‑1600℃保温1‑10h使陶瓷实现完全纯相转变，然后升温至1660℃‑1850℃真空烧结陶瓷4‑90h，并降温‑3 ‑5至30‑50℃，真空度为10 ‑10 Pa，真空烧结阶段的升温速率为0.5‑15℃/min，降温速率为

1‑55℃/min；

S5.退火：将真空烧结后的陶瓷在空气或氧气气氛下，于850‑1550℃退火2‑80h，并降温至室温，退火阶段的升温速率为2‑50℃/min，降温速率为5‑55℃/min；

S6.磨砂抛光：退火后的陶瓷进行磨砂减薄和抛光处理，得到厚度为1‑5mm的YAG基透明陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的一种提升YAG基透明陶瓷掺杂离子固溶度的方法，其特征在于，步骤S1中，所述分散剂为DS005，分散剂添加量为Y2O3粉体、α‑Al2O3粉体质量总和的

0.03‑1.20wt.%；最终配制的浆料固含量为25%‑60vol.%。

3.根据权利要求1所述的一种提升YAG基透明陶瓷掺杂离子固溶度的方法，其特征在于，所述球磨罐为氧化铝球磨罐、尼龙球磨罐或聚四氟乙烯球磨罐的一种；所述磨球为高纯氧化铝球、高纯氧化锆球或玛瑙球的一种。

4.根据权利要求1所述的一种提升YAG基透明陶瓷掺杂离子固溶度的方法，其特征在于，步骤S2中，球磨转速为80‑300r/min，球磨时间为8‑40h；干燥温度为35‑150℃，干燥时间为2‑50h；过筛的目数为50‑200目，过筛次数为1‑10次。

5.根据权利要求1所述的一种提升YAG基透明陶瓷掺杂离子固溶度的方法，其特征在于，步骤S3中，预煅烧阶段的升温速率为0.3‑20℃/min，降温速率为2‑40℃/min。