1.一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在连通的设有高温区与低温区的反应器内，将溴化铯与溴化锡按摩尔比1：1置于高温区内，控制高温区温度为600 1000℃，并以惰性气体为载气先后流经高温区和低温区，在低~温区得沉积薄膜；热处理低温区所得沉积薄膜，得无铅全无机钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，低温区用于放置待镀膜基材，反应完成后，在待镀膜基材表面形成无铅全无机钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述待镀膜基材为ITO玻璃、单晶硅片或者镀有金属薄膜的单晶硅片。

4.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，低温区中部设有底座，该底座与水平面成45°角倾斜，用于放置待镀膜基材、并使待镀膜基材处于低温区中部。

5.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在高温区内，溴化铯与溴化锡分别承装，并确保惰性气体流经溴化铯及溴化锡所处区域。

6.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述载气为99.99%的高纯氩气。

7.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，高温区及低温区以室温为初始温度，升温前先通入惰性气体以形成惰性气氛，然后再启动升温程序。

8.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，低温区热处理温度为100 500℃。

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9.根据权利要求1所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将溴化铯和溴化锡粉末按照摩尔比1：1分别放入两个石英舟中，然后将石英舟放入直径为20mm, 长为 430mm 的两端封闭的管式炉内的玻璃管高温区内；

2）将单晶硅衬底分别在丙酮，无水乙醇和去离子水中超声清洗15分钟，随后在干燥炉中烘干后，放置在半圆形底座上,其中底座的倾斜角为0 90度，将底座放在石英管下游的低~温区域；

3）将管式炉密封后，通入流速为 400sccm 的高纯惰性气体5分钟，然后将高纯惰性气体流速调节至100 400sccm，并开启升温程序；

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4）将高温区控制在60 120分钟内从室温升到600 1000℃，并保持2 10分钟；然后低温~ ~ ~区在10-50分钟从室温升温到100 500℃，并保温10 50分钟。

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10.根据权利要求9所述的一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4）的高温区在90分钟内从室温升到860℃，并保持5分钟；然后低温区在35分钟从室温升温到300℃，并保温30分钟；所述步骤3）中高纯惰性气体流速调节至

200sccm后，开启升温程序。