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专利号: 201910888870X
申请人: 重庆大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-07-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.具有高选择性的低剖面、紧凑型线极化滤波天线,其特征在于:包括两块介质基板、辐射贴片、馈线部分、同轴电缆和接地板;

所述馈线部分为倒h型;

所述两块介质基板平行放置,分别为上层介质基板和下层介质基板;

所述辐射贴片设置于上层介质基板的上表面;

所述馈线部分设置于下层介质基板的上表面;

所述接地板设置于所述下层介质基板的下表面,所述同轴电缆的内导体连接至倒h型的馈线部分,外导体连接至所述接地板。

2.根据权利要求1所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线极化滤波天线,其特征在于:所述辐射贴片为正方形,且设置在上层介质基板表面中心位置,辐射贴片边长为34.5-

35.5mm,厚度为0.016-0.018mm。

3.根据权利要求1所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线极化滤波天线,其特征在于:所述馈线部分包括长度为30.6-31.6mm的支节Ⅰ,长度为3.8-4.8mm的支节Ⅱ以及长度为

13.1-14.1mm的支节III。

4.根据权利要求1所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线极化滤波天线,其特征在于:所述两块介质基板采用Taconic RF-60 TC材料制成,且上层介质基板厚度为3.18mm,下层介质基板为1.27mm。

5.根据权利要求1所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线极化滤波天线,其特征在于:所述同轴电缆的内导体半径为0.55-0.65mm,电缆长度为4.8-5.1mm,内导体与微带线相连部分为半圆柱体,其长度为1.9-2.1mm,半径为0.55-0.65mm;外导体内径为2.0-2.1mm,外导体外径3.0-3.1mm;

所述接地板为正方形,边长为63-73mm,厚度为0.016-0.018mm。

6.具有高选择性的低剖面、紧凑型线圆极化滤波天线,其特征在于:包括两块介质基板、辐射贴片、馈线部分、同轴电缆和接地板;

所述馈线部分为倒h型,且加设T型馈线;

所述两块介质基板平行放置,分别为上层介质基板和下层介质基板;

所述辐射贴片设置于上层介质基板的上表面;

所述馈线部分设置于下层介质基板的上表面;

所述接地板设置于所述下层介质基板的下表面,所述同轴电缆的内导体连接至倒h型的馈线部分,外导体连接至所述接地板。

7.根据权利要求6所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线圆极化滤波天线,其特征在于:所述辐射贴片为正方形,且设置在上层介质基板表面中心位置,辐射贴片边长为34.5-

35.5mm,厚度为0.016-0.018mm。

8.根据权利要求6所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线圆极化滤波天线,其特征在于:所述馈线部分包括长度为29.2-30.2mm的支节Ⅰ,长度为4.2-5.2mm的支节Ⅱ以及长度为

13.7-14.7mm的支节III组成的倒h型馈线,以及由长度为23.3-24.3mm的支节IV,长度为

16.7-17.7mm的支节V组成的T型馈线,其中支节IV垂直位于支节V正中心,且支节III与支节IV之间的空气间隙为0.3-1.3mm。

9.根据权利要求6所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线圆极化滤波天线,其特征在于:所述两块介质基板采用Taconic RF-60 TC材料制成,且上层介质基板厚度为3.18mm,下层介质基板为1.27mm。

10.根据权利要求6所述的具有高选择性的低剖面、紧凑型线圆极化滤波天线,其特征在于:所述同轴电缆的内导体半径为0.55-0.65mm,电缆长度为4.8-5.1mm,内导体与微带线相连部分为半圆柱体,其长度为1.9-2.1mm,半径为0.55-0.65mm;外导体内径为2.0-2.1mm,外导体外径3.0-3.1mm;

所述接地板为正方形,边长为63-73mm,厚度为0.016-0.018mm。