1.一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，本逻辑门电路为十字型反铁磁赛道，整个赛道均为同种反铁磁材料，位于赛道上的磁性隧道结分别作为输入端和输出端，本逻辑门电路具有两个输入端，分别命名为输入端A和输入端B，输入端A与输入端B相邻，位于十字型赛道的左端和上端，赛道右端隧道结则为输出端；

在输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生斯格明子，并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子，其中，磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。

2.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，十字型反铁磁赛道，输入端A所在的水平赛道上施加自旋极化电流，输入端B所在的垂直赛道则利用压控磁晶各向异性效应产生各向异性梯度，从而使得两条赛道上的斯格明子都可以被驱动。

3.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，水平赛道将十字型反铁磁赛道的交叉部分视作低K区域，低K区域是低磁晶各向异性区域；低K区域会对斯格明子产生钉扎的作用，其钉扎强度主要取决于低K区域的几何尺寸和磁晶各向异性的强度，只有当驱动电流密度大于某一临界电流密度时，斯格明子才能成功通过低K区域。

4.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，输入端长度比输出端短。

5.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，由一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路实现AND门计算的方法为：反铁磁斯格明子的存在代表二进制数据1，反铁磁斯格明子不存在代表二进制数据0；

输入端A输入0、输入端B输入1，输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须小于临界电流密度；

或者当输入端A输入1、输入端B输入0时；输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须小于临界电流密度；

或者当输入端A、输入端B都输入1时， 施加驱动电流时需推迟一段时间t，但必须要控制在输入端B输入的斯格明子运动到交界区域之前，且输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须小于临界电流密度；

不管输入端A是否输入斯格明子，输入端A赛道上都加有驱动电流。

6.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，由一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路实现的OR门计算的方法为：反铁磁斯格明子的存在代表二进制数据1，反铁磁斯格明子不存在代表二进制数据0；

输入端A输入0、输入端B输入1，输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须大于临界电流密度；

或者当输入端A输入1、输入端B输入0时；输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须大于临界电流密度；

或者当输入端A、输入端B都输入1时， 施加驱动电流时需推迟一段时间t，但必须要控制在输入端B输入的斯格明子运动到交界区域之前，且输入端A所在的水平赛道上的驱动电流密度必须大于临界电流密度；

不管输入端A是否输入斯格明子，输入端A赛道上都加有驱动电流。

7.根据权利要求1所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，由一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路实现NOT门的计算方法为：只保留一条具有一个输入端和一个输出端的水平赛道，并在输出端的两侧分别设置一个电压控制门，局部的调高磁晶各向异性，使得输出端成为一个低K区域，对斯格明子产生钉扎作用，而且对于每一次运算，初始时，输出端恒有一个斯格明子。

8.根据权利要求5或6或7中所述的一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，其特征在于，实现基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路的运算方法是，每一次计算过后，利用一个电流脉冲将十字型反铁磁赛道上的斯格明子清除掉。