1.一种半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的测量方法的步骤为：步骤1)：将光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度的泵浦光束照射到被测半导体样品前表面，产生光致发光信号；

步骤2)：在样品前表面和后表面放置信号收集装置，同时对传输到前表面和后表面的光致发光信号进行收集，经光谱分析装置获得光致发光谱，前后表面获得的光致发光谱分别记为 和步骤3)：对上述光致发光谱 和 进行处理计算，得到半导体材料电阻率：按公式 进行计算，并根据公式

通过多项式拟合Se与波长λ的关系数据，计算得到被测半导体材料电阻率ρ；其中，Rf和Rb分别为光致发光信号在样品前后表面的反射率，hν为泵浦光光子能量，C为常数，L为被测半导体材料厚度，α0分别为被测半导体材料对光致发光信号的本证吸收系数，q为电子电量，μ为电子或空穴的迁移率。

2.根据权利要求1所述的半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的信号收集装置是抛物面镜或光学透镜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的光谱分析装置是单色仪和光电倍增管探测器的组合或光谱仪，且样品前后两个信号收集装置的设备型号和参数设置保持一致。