1.一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将四氧化三铁粉末加入无水乙醇中搅拌混合形成溶胶状混合液，向混合液中加入氨水，搅拌混合均匀，滴加正硅酸乙酯，进行陈化3-6h，经过离心过滤，洗涤，干燥得二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒；

2）将3-（2,3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷加入甲苯溶剂中搅拌溶解，向溶液中加入二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒，加热反应得烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒；

3）将超支化聚乙烯亚胺加入去离子水中搅拌溶解得超支化聚乙烯亚胺溶液，将烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒加入超支化聚乙烯亚胺溶液中，加热反应得超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒；

4）将超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒、紫杉醇、甲基丙烯酸单体加入丙酮溶剂中搅拌溶解，加入乙二醇二甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈，搅拌反应40-60min，磁性分离后经过索氏抽提洗净模板分子，干燥，即得。

2.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤1）中四氧化三铁粉末与无水乙醇的质量体积比为1g/80-

100mL。

3.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤1）中四氧化三铁粉末与正硅酸乙酯的质量比为1:0.3-0.6。

4.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中反应温度为40-50℃，反应时间为30-50min。

5.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中超支化聚乙烯亚胺溶液浓度为2-5wt%。

6.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中反应温度为35-40℃，反应时间为40-60min。

7.根据权利要求1所述的一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒、紫杉醇、甲基丙烯酸单体的质量比为1:0.1-0.2:0.3-0.5。