1.一种高效晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤:

1)P型硅基体清洗，P型硅基体背面抛光；

2)P型硅基体背面制备遂穿氧化层和N型多晶硅，形成钝化接触结构，在N型多晶硅上形成磷硅玻璃；

3)P型硅基体正面去绕镀，在P型硅基体正面制绒；

4)P型硅基体背面去除磷硅玻璃，P型硅基体背面激光开槽，激光开槽区域内去除N型多晶硅和遂穿氧化层；

5)P型硅基体的正面和背面分别沉积正面钝化层和背面钝化层；

6)P型硅基体背面激光开槽，开槽图形与步骤4)中的开槽图形均为栅线，开槽宽度小于步骤4)中的开槽宽度，激光开槽区域内去除背面钝化层；

7)P型硅基体背面印刷铝浆和银浆，铝浆印刷对准激光开槽区域，烧结完成金属化。

2.根据权利要求1所述的高效晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，步骤2)P型硅基体背面用热氧化生长隧穿氧化层，在隧穿氧化层上通过低压化学气相沉积法沉积本征多晶硅，通过扩散工艺将磷掺杂进本征多晶硅中，在P型硅基体背面形成钝化接触结构，所述钝化接触结构为隧穿氧化层和N型多晶硅叠层，在N型多晶硅上还有扩散形成的磷硅玻璃。

3.根据权利要求1所述的高效晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，步骤3)P型硅基体正面用氢氟酸和硝酸去除绕镀的磷硅玻璃、N型多晶硅和隧穿氧化层，保留P型硅基体背面的磷硅玻璃，用碱溶液对P型硅基体正面进行制绒，在P型硅基体正面形成绒面结构，P型硅基体背面的N型多晶硅通过P型硅基体背面的磷硅玻璃被保留。

4.根据权利要求1所述的高效晶硅太阳电池制备方法，其特征在于，步骤7)P型硅基体背面印刷铝浆和银浆，印刷铝浆和银浆的图形均为栅线，铝栅线对准步骤6)的激光开槽区域，烧结后，铝浆和P型硅基体的界面处形成铝掺杂的P型硅，银浆烧穿过背面钝化层，银浆第二金属电极与背面N型多晶硅接触。