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专利号: 2019109299488
申请人: 宁波大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种超高频圆极化RFID标签天线,包括介质基板、RFID芯片、辐射层和接地层,所述的辐射层设置在所述的介质基板的上表面,所述的介质基板为圆柱形,所述的接地层设置在所述的介质基板的下表面,所述的RFID芯片设置在所述的介质基板的下表面,所述的RFID芯片与所述的接地层连接,其特征在于所述的辐射层包括附着在所述的介质基板上表面的第一圆形金属层和开设在所述的第一圆形金属层上的辐射槽结构,所述的第一圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合;将所述的第一圆形金属层的半径记为r,将所述的介质基板的半径记为R,r和R满足条件:R大于65mm,小于68mm;r大于45mm,小于

47mm;所述的辐射槽结构通过在所述的第一圆形金属层上开槽实现,所述的辐射槽结构包括依次连通的第一矩形槽、第一等腰梯形槽、第二矩形槽、第二等腰梯形槽、第三矩形槽和直角梯形槽,所述的介质基板的上表面在所述的第一矩形槽、所述的第一等腰梯形槽、所述的第二矩形槽、所述的第二等腰梯形槽、所述的第三矩形槽和所述的直角梯形槽处暴露出来;

所述的第一等腰梯形槽位于所述的第二等腰梯形槽的后侧,所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的后侧,所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的前侧,所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面平行于所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面,所述的第一等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的后侧,所述的第二等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的前侧,所述的直角梯形槽的下底所在平面位于其上底所在平面的前侧,所述的直角梯形槽的下底平行于所述的第一等腰梯形槽的上底,所述的直角梯形槽的直角腰位于其斜腰的左侧,所述的直角梯形槽的下底所在平面位于所述的第二等腰梯形槽的下底所在平面的后侧,所述的直角梯形槽的上底所在平面位于所述的第一等腰梯形槽的下底所在平面的前侧;

所述的第一矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第一矩形槽的右端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面,所述的第二矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面,所述的第二矩形槽的前端面与所述的第二等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面,所述的第三矩形槽的前端面与所述的第二等腰梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面,所述的第三矩形槽的后端面与所述的直角梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的直角梯形槽的下底的右端位于同一平面,当经由所述的第一圆形金属层的中心轴线做一个垂直于所述的第一圆形金属层且平行于所述的第二矩形槽的右端面所在平面的垂直平面时,所述的第二矩形槽位于该垂直平面的左侧,所述的第一矩形槽、所述的第三矩形槽和所述的直角梯形槽分别位于该垂直平面的右侧,所述的第二矩形槽的右端面所在平面与该垂直平面之间的距离大于4mm,小于4.5mm;当做沿左右方向作所述的第二矩形槽的对称平面使其前后对称时,该对称平面经过所述的第一圆形金属层的中心轴线;所述的第一矩形槽沿前后方向的长度为8.5~9mm,所述的第一矩形槽沿左右方向的长度为6~7mm,所述的第二矩形槽沿前后方向的长度为68~70mm,所述的第二矩形槽沿左右方向的长度为6~

7mm,所述的第三矩形槽沿前后方向的长度为28~29.5mm,所述的第三矩形槽沿左右方向的长度为6~7mm,所述的第一等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为21~22mm,所述的第一等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为9~10.2mm,所述的第一等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为6mm,所述的第二等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为41mm,所述的第二等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为29mm,所述的第二等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5~7.5mm,所述的直角梯形槽的下底沿左右方向的长度为19~21.5mm,所述的直角梯形槽的上底沿左右方向的长度为13~14mm,所述的直角梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5~7.5mm;

所述的接地层包括第二圆形金属层、馈电单元和阻抗匹配单元,所述的第二圆形金属层附着在所述的介质基板的下表面,所述的第二圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合;所述的第二圆形金属层的半径与所述的介质基板的半径相等;

所述的馈电单元包括开设在所述的第二圆形金属上的第四矩形槽,所述的第四矩形槽的左端面所在平面平行于所述的第二矩形槽的左端面所在平面,所述的第四矩形槽的左端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其右端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等,所述的第四矩形槽的前端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其后端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等;

所述的阻抗匹配单元包括框型槽,所述的框型槽位于所述的第四矩形槽的左侧,所述的框型槽由第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽和第八矩形槽依次首尾连接形成,所述的介质基板的下表面在所述的第五矩形槽、所述的第六矩形槽、所述的第七矩形槽和所述的第八矩形槽处暴露出来;

所述的第五矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接,所述的第五矩形槽的右端面与所述的第六矩形槽的右端面位于同一平面,所述的第五矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接,所述的第五矩形槽的右端面与所述的第八矩形槽的右端面位于同一平面,所述的第七矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接,所述的第七矩形槽的左端面与所述的第六矩形槽的左端面位于同一平面,所述的第七矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接,所述的第七矩形槽的左端面与所述的第八矩形槽的左端面位于同一平面,所述的第四矩形槽沿左右方向的长度为6.5~8mm,所述的第四矩形槽沿前后方向的长度为75~76.8mm,所述的第五矩形槽沿左右方向的长度为1~1.5mm,所述的第五矩形槽沿前后方向的长度为63~64mm,所述的第六矩形槽沿左右方向的长度为40~41mm,所述的第六矩形槽沿前后方向的长度为1~1.5mm,所述的第七矩形槽沿左右方向的长度为1~

1.5mm,所述的第七矩形槽沿前后方向的长度为63~64mm,所述的第八矩形槽沿左右方向的长度为40~41mm,所述的第八矩形槽沿前后方向的长度为1~1.5mm;

所述的第五矩形槽的右端面所在平面与所述的第四矩形槽的左端面所在平面之间的距离为1.8~2.3mm,所述的第六矩形槽的后端面所在平面与所述的第四矩形槽的后端面所在平面之间的距离为2~2.3mm,所述的第八矩形槽的前端面所在平面与所述的第四矩形槽的前端面所在平面之间的距离为8~8.6mm;

所述的RFID芯片设置在所述的第四矩形槽的中心处,所述的RFID芯片分别与位于所述的第四矩形槽左侧的接地层和位于所述的第四矩形槽右侧的接地层连接。

2.根据权利要求1所述的一种超高频圆极化RFID标签天线,其特征在于所述的第一圆形金属层的厚度为0.035mm,所述的第二圆形金属层的厚度为0.035mm,所述的介质基板的厚度为1.524mm,所述的介质基板的材料为Rogers RT/duroid 5880,所述的第一圆形金属层的材料为铜箔,所述的第二圆形金属层的材料为铜箔。

3.根据权利要求1所述的一种超高频圆极化RFID标签天线,其特征在于所述的RFID芯片采用Alien厂商生产的H3芯片。