1.一种双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。

2.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，首先制备石墨烯膜，将石墨烯膜转移至所述的LED芯片上，然后将氯化钼溶液与碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的石墨烯膜表面，依次进行辐射激活和等离子体处理，制得覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为100:0.8:

1.2。

3.如权利要求2所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，将石墨烯膜转移至所述的覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片上，将氯化铱溶液、硝酸银溶液和碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的石墨烯膜表面，进行辐射激活，然后放入真空退火炉中退火，制得双层石墨烯膜LED电极材料，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为100:1.0:0.8:0.8。

4.如权利要求2或3所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的制备石墨烯膜是将氢气、氩气、甲烷和氨气混合，通入真空管式炉升温至1100℃持续20min制得。

5.如权利要求2或3所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的反应温度为95℃，反应时间为20min。

6.如权利要求2或3所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的辐射激活是用紫外臭氧处理机中对待激活的石墨烯膜在254nm波长下照射激活48h。

7.如权利要求2所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的等离子体处理是在10Pa氧气和20Pa氦气的环境中用等离子体表面处理仪处理为30min。

8.如权利要求3所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的退火是将LED电极材料放入真空退火炉中，在10-4帕气压300℃下退火30min。

9.一种双层石墨烯膜LED电极材料，其特征在于，所述的双层石墨烯膜LED电极材料采用如上权利要求1至8任一权利要求所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法制得。

10.如权利要求9所述的双层石墨烯膜LED电极材料，其特征在于，所述的双层石墨烯膜LED电极材料的室温热导率为350W/mK。