1.一种碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：包括SiC衬底(11)，所述SiC衬底(11)上依次设有SiC外延层(12)、堆垛栅介质层(2)、正电极(4)，所述SiC衬底(11)下部设有负电极(3)，所述堆垛栅介质层(2)包括Al2O3过渡层(21)、AlON栅介质层(22)，所述外延层(12)上依次设有Al2O3过渡层(21)、AlON栅介质层(22)，所述AlON栅介质层(22)为高k介质的氧含量0-10％AlON。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：所述SiC外延层(12)厚度为8-10μm，掺杂浓度为8×1015-1×1016cm-3。

3.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：所述Al2O3过渡层(21)厚度为1-10nm。

4.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：所述Al2O3过渡层(21)厚度为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：AlON栅介质层(22)的厚度为50-80nm。

6.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：所述Al2O3过渡层(21)厚度为1-10nm。

7.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件AlON/Al2O3堆叠栅介质，其特征在于：所述负电极(3)、所述正电极(4)分别从所述AlON栅介质层(22)的表面和所述SiC衬底(11)的背面连接。

8.一种AlON/Al2O3堆叠栅介质层的SiC栅介质电容的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：A)将SiC衬底(11)进行标准清洗处理，在所述SiC衬底(11)背面利用磁控溅射的方法淀积金属Ni/Au作为欧姆接触层，然后在N2环境中退火处理；

B)将所述SiC衬底(11)上的N型SiC外延层(12)用BOE漂洗处理，利用原子层淀积ALD的方法，在SiC外延层(12)上淀积一层厚度为1-10nm的Al2O3过渡层(21)；

C)利用原子层淀积ALD的方法，在Al2O3过渡层(21)上淀积一层厚度为50-80nm的AlON栅介质层(22)；

D)将所生长的AlON/Al2O3堆叠栅介质层在N2环境中退火处理，具体退火温度为400-

1000℃，退火时间为30min；

E)利用磁控溅射的方法，AlON栅介质层(22)层表面溅射金属Al作为正电极。

9.根据AlON/Al2O3堆叠栅介质层的SiC栅介质电容的制造方法，其特征在于：所述步骤B中淀积一层厚度为1-10nm的Al2O3过渡层(21)，淀积温度为350℃，淀积时间为5-20min。