1.一种具有抗氧化性能和增强散热功能的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)衬底预处理：

将衬底依次浸泡于洗洁精水、去离子水、无水乙醇、丙酮中进行超声清洗，干燥后，再将衬底进行等离子清洗，得到预处理后的衬底；

(2)沉积Cu膜

利用直流磁控溅射方式，在预处理后的衬底上沉积Cu膜；

(3)退火处理

对所述Cu膜在有氧环境下进行原位退火处理，自然冷却后，即得所述Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极；

其中，步骤(3)中所述有氧环境控制真空室内的工作气压为0.5‑1.5Pa；充入氩气的流量为10‑30sccm，氧气的流量为1–10sccm；

进行所述退火的温度为100‑200℃，进行所述退火处理的时间为15‑25min；

步骤(3)中，所述Cu‑Cu2O核壳纳米线的长度为100‑16350nm，纳米线的直径为50‑350nm，纳米线阵列与衬底的夹角为80‑90度；

退火后纳米线外层Cu2O膜的厚度为2‑20nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底为硅、玻璃、石英、聚酰亚胺、氮化铝中的任意一种或几种的复合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述干燥为温度为20‑100℃的高纯氮气吹干。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用直流磁控溅射技术沉积Cu膜的具体操作如下：(a)将Cu靶材放入磁控溅射仪的真空室中的直流台上，把衬底放置于样品台上；

(b)对真空室抽真空，之后向真空室内充入氩气；

(c)施加直流电压于紧接靶材的阴极和紧接基板后的阳极间，以在衬底上沉积Cu膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(a)中，所述样品台与直流台的距离为

50‑90mm，所述样品台与直流台平面延长线的夹角为0‑45度。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(b)中，控制真空室内的本底真空度为‑4 ‑4

2.0×10 ‑4.0×10 Pa，真空室内的工作气压为0.5‑1.5Pa；

充入氩气的流量为10‑30sccm，调节氩气压强为0.5‑1.5Pa。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(c)中，直流电的电流为80‑120mA，电压为0.20‑0.35kV；

进行所述沉积的温度为40‑180℃，进行所述沉积的时间为1‑15h，工作气压为0.5‑

1.5Pa，溅射功率设为16‑30W。

8.根据权利要求1‑7任一项所述方法制得的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极。