1.一种微通孔Cu基CVD金刚石热沉片，其特征在于，从下至上依次包括Cu基底(1)、金属过渡层(2)和CVD金刚石薄膜(4)，Cu基底(1)上阵列分布有直径0.3～0.5mm，间距2～3mm的微通孔，金属过渡层(2)的表面静电组装金刚石纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片，其特征在于，微通孔的形状包括圆形、正三角形、正方形、正六边形或正八边形。

3.根据权利要求1或2所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片，其特征在于，Cu基底(1)为纯度99.99％～99.999％的无氧铜，直径为10～20mm，厚度为0.5～1mm。

4.根据权利要求1所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片，其特征在于，CVD金刚石薄膜(4)的厚度为0.2～0.3mm。

5.根据权利要求1所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片，其特征在于，中间金属过渡层(2)的厚度为50～100nm，金刚石纳米颗粒为球状结构，粒径为2～6nm。

6.一种如权利要求1所述微通孔Cu基CVD金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对Cu基底表面进行清洗；

S2、对Cu基底蒸镀形成碳化物金属过渡层；

S3、在金属过渡层表面静电组装金刚石纳米颗粒；

S4、采用CVD方法在金刚石纳米颗粒上生长金刚石薄膜；

S5、采用激光打孔法在Cu基底上制作微通孔阵列。

7.根据权利要求6所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，其特征在于，步骤S1中，依次使用盐酸溶液、丙酮、酒精和去离子水对Cu基底清洗3～5min，然后使用氮气吹干。

8.根据权利要求6所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，其特征在于，步骤S2中，溅射功率为80～100W，气压为1.0～1.5Pa，温度为300～400℃，Ar气流量为20～

30sccm，时间10～15min；制备金属过渡层的材料包括钨、钼、钛、铁、铬、镍、钴、铪、锆、钕、钒、钽、钇或铝。

9.根据权利要求6所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，其特征在于，步骤S4中，采用热丝CVD、燃烧火焰法CVD、电子辅助、微波等离子体CVD、射频等离子体CVD、直流等离子体CVD或混合物理化学气相CVD方法，以CH4、H2作为反应气体，CH4气体流量0.5～

1.0sccm，H2气体流量500～800sccm，衬底温度850～1000℃，气压80～100Torr，微波功率

400～500W，生长时间5～8h。

10.根据权利要求6所述的微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，其特征在于，步骤S5具体为：S501、将Cu基底表面CVD金刚石热沉片倒置在激光打孔载物台上并固定；

S502、调整光路及载物台与激光器的距离，使得激光器由输出功率密度为105～109W/cm2；

S503、设置激光参数，激光器为YAG固体激光器，YAG固体激光器平均功率为200～300W，单脉冲能量为30～35J，脉冲宽度为0.3～0.6ms，重复频率为10～50Hz；

S504、根据微通过阵列图样参数，控制扫描振镜X、Y偏转方向，使其在Cu基底表面自动准确定位打孔位置；

S505、运行激光打孔，微通孔的直径为0.3～0.5mm，通孔间距为2～3mm，微通孔形状包括圆形、正三角形、正方形、正六边形或正八边形。