1.一种原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将钴盐、Tx‑100和苯胺溶于挥发性非水溶剂，并加入硫脲，获得Co‑C‑S前躯液；

（2）上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar气流中或N2气流中高温退火硫化，即可制备得到原位Co9S8‑碳电极；

（3）上述原位Co9S8‑碳电极在双氰胺气流下CVD煅烧退火，最终形成原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极，所述的双氰胺与金属钴原子的质量比为5 1，CVD退火温度为400 700~ ~℃，时间为0.5 3 h。

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2.根据权利要求1 所述的原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，所述的挥发性非水溶剂包括乙醇、N, N‑二甲基甲酰胺。

3.根据权利要求1 所述的原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，钴盐、Tx‑100、苯胺以及硫脲溶于挥发性非水溶剂，所形成的混合溶液中，Co原子的浓度为100 900 mM，（Tx‑100和苯胺）与挥发性非水溶剂的体积比为0.03 2，Tx‑100与苯胺的~ ~体积比为50 5。

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4.根据权利要求1所述的原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，所述的基底包括碳纸、碳布、泡沫铜或泡沫镍中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，所述的干燥是在空气或真空加热至70 100℃进行干燥。

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6.根据权利要求1所述的原位缺陷修饰Co9S8‑多孔氮掺杂碳电极的制备方法，其特征在于，步骤（2）中的退火温度为600 1000℃，反应时间为0.5 4 h。

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