1.一种提纯硅的装置，其特征在于包括坩埚（1），所述坩埚（1）内设置有温度定向控制管（1-1），所述控制管的下端延伸至所述坩埚（1）的底部以下，且所述控制管的上端与所述坩埚（1）的上端开口齐平；所述坩埚（1）的外周设置有加热器组（6），所述加热器组（6）的外侧设置有行波磁场发生器（3），且所述行波磁场发生器（3）在发生器上下驱动装置的驱动下可上下运动，所述发生器上下驱动装置受控于所述凝固控制器（15），位于所述坩埚（1）内的所述控制管内设置有陶瓷杆（18），所述陶瓷杆（18）的下端设置有加热丝（19），所述陶瓷杆（18）的外侧端部设置有陶瓷杆上下驱动装置，所述陶瓷杆上下驱动装置受控于所述凝固控制器（15），所述加热丝（19）下侧的温度定向控制管（1-1）内设置有注液管（14），所述温度定向控制管（1-1）的下侧端口的下方设置有Ga-In-Sn回流槽（7），所述回流槽内设置有第一液位器（20），所述第一液位器（20）用于感应所述回流槽内回流的Ga-In-Sn合金液（8）的液位高度，所述注液管（14）的下端延伸至所述温度定向控制管（1-1）的外侧，且所述注液管（14）的下端穿过所述Ga-In-Sn回流槽（7）的底部进入到所述回流槽下侧的Ga-In-Sn注入槽（11）内，所述Ga-In-Sn注入槽（11）内设置有冷却Ga-In-Sn合金液（10），且所述Ga-In-Sn注入槽（11）内设置有第二液位器（21），所述第二液位器（21）用于感应所述注入槽内Ga-In-Sn合金液的液位高度，所述注液管（14）的下端位于注入槽内冷却Ga-In-Sn合金液（10）的液面以下，所述Ga-In-Sn注入槽（11）的侧壁上设置有与其相连通的调压管（9），所述Ga-In-Sn注入槽（11）的下侧设置有升降平台（12），所述升降平台（12）用于驱动所述注入槽上下运动，从而带动所述注液管（14）上下运动，所述升降平台（12）受控于所述凝固控制器（15）。

2.如权利要求1所述的提纯硅的装置，其特征在于：所述坩埚（1）的上端开口内设置有投料管（16），所述投料管（16）用于向所述坩埚（1）内投入粗硅（17）。

3.如权利要求1所述的提纯硅的装置，其特征在于：所述行波磁场发生器（3）的外侧设置有保温套（2），所述保温套（2）用于维持所述坩埚（1）内的温度，行波磁场发生器（3）内部具有水冷装置，外部具有隔热保护层。

4.如权利要求1所述的提纯硅的装置，其特征在于：所述注液管（14）与所述回流槽的接触处设置有密封圈（13），所述密封圈（13）用于防止回流的Ga-In-Sn合金液外泄。