1.一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.准备好浓度为15-20％的HCl溶液，将半导体晶片置于真空箱中的旋转盘上，利用HCl溶液对半导体晶片进行喷淋，然后再利用去离子水对半导体晶片进行冲洗，冲洗之后调节真空箱中温度为40-50℃，通入适量的氮气，对半导体晶片进行干燥处理；

S2.将抛光设备设置在工作台上，将半导体晶片固定在抛光设备上，同时在工作台上设置多轴机械爪、PLC、工业相机与红外线灯头，在PLC中设置好良品对照图像以及加工品的误差允许范围，其中红外线灯头固定在多轴机械爪的末端；

S3.利用抛光设备对半导体晶片的一面进行抛光处理，抛光完毕之后，利用工业相机拍取半导体晶片的图像并发送给PLC，PLC对图像进行灰度化处理，然后对该图像与良品对照图像进行分析对比，判断半导体晶片的抛光厚度误差是否在允许范围内；

S4.当半导体晶片表面的厚度误差过大，PLC先控制多轴机械爪带着红外线灯头移动到半导体晶片存在较大误差的区域，然后PLC再控制红外线灯头的红外线开启，利用红外线对该区域进行照射，再次利用抛光设备对出现较大误差的区域进行再次抛光处理；

S5.半导体晶片的一面抛光处理完毕之后，去除半导体晶片表面上的杂物，然后将晶片翻转到另一面，将晶片的另一面继续抛光处理，并检测处理之后的厚度误差。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于：所述步骤1的喷淋过程中调节真空箱中温度为60-80℃，且喷淋时间为3-5min。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于：所述步骤1中喷淋过程旋转盘的转速为120-200r/min，干燥过程旋转盘的转速为1200-2000r/min。

4.根据权利要求1所述的一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于：所述多轴机械爪、工业相机和红外线灯头均与PLC电性连接，所述工业相机位于抛光设备的上方。